[發(fā)明專利]碳化硅激活退火方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711445000.2
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109979829A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張偉民;甘新慧;蔣正勇;朱家從;計建新
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L21/324
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 易皎鶴

1.一種碳化硅激活退火方法，其特征在于，包括以下步驟：

在碳化硅晶片經(jīng)過離子注入的一側(cè)表面形成第一保護(hù)層；

在碳化硅晶片形成第一保護(hù)層的一側(cè)表面形成第二保護(hù)層；

將形成第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行退火處理；

退火處理時所述第二保護(hù)層的熱穩(wěn)定性優(yōu)于所述第一保護(hù)層的穩(wěn)定性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述在碳化硅晶片經(jīng)過離子注入的一側(cè)表面形成第一保護(hù)層的步驟，包括以下步驟：

將所述碳化硅晶片進(jìn)行離子注入并去除離子注入掩蔽層；

將去除離子注入掩蔽層的碳化硅晶片置于充入反應(yīng)氣體的反應(yīng)室中；

通過PECVD方法在所述碳化硅晶片經(jīng)過離子注入的一側(cè)表面形成第一保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述在碳化硅晶片經(jīng)過離子注入的一側(cè)表面形成第二保護(hù)層的步驟，包括以下步驟：

將所述形成第一保護(hù)層的碳化硅晶片置于絕對真空數(shù)值小于5×10^-5Torr的真空環(huán)境中；

通過濺射方法在所述碳化硅晶片形成第一保護(hù)層的一側(cè)表面淀積第二保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，在所述將形成第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行退火處理的步驟之后，還包括以下步驟：

所述將形成第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行退火處理后，去除退火處理后碳化硅晶片的第二保護(hù)層；

對去除第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行去除所述第一保護(hù)層處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述將形成第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行退火處理后，去除退火處理后碳化硅晶片的第二保護(hù)層的步驟，包括以下步驟：

將進(jìn)行退火處理后的碳化硅晶片通過干法氧化去除所述第二保護(hù)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述對去除第二保護(hù)層后的碳化硅晶片進(jìn)行第一保護(hù)層去除處理的步驟，包括以下步驟：

將去除第二保護(hù)層的碳化硅晶片通過濕法腐蝕去除所述第一保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層為二氧化硅保護(hù)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述二氧化硅保護(hù)層的厚度為1.2μm～1.8μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層為碳膜保護(hù)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述碳膜保護(hù)層厚度為30nm～80nm。