[發明專利]一種LED基板制備方法及LED基板在審
| 申請號： | 201711444077.8 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108538986A | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發明（設計）人： | 冉崇高;林金填;余忠良;梁德強 | 申請（專利權）人： | 旭宇光電（深圳）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳叁眾知識產權代理事務所(普通合伙) 44434 | 代理人： | 杜立光 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市寶安區西*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 氮化硼膜 焊接槽 氮化鋁 熱膨脹 金屬基板 油層 電路槽 沉積 銅層 絕緣層 導熱 氮化鎵LED 導電電路 匹配性能 區域設置 設置電路 氮化硼 氮化鎵 高導熱 高電阻 光反射 焊接區 蝕刻層 燈珠 基板 基材 熱阻 銀層 絕緣 匹配 電路 芯片 | ||
1.一種LED基板制備方法，所述LED基板用于氮化鎵LED芯片，包括如下步驟：
提供氮化鋁金屬基板；
在所述氮化鋁金屬基板上沉積氮化硼膜體；
在所述氮化硼膜體上設置電路槽以及焊接槽；
在所述電路槽及焊接槽內設置銅層作為導電電路；
在所述焊接槽的銅層上設置銀層作為焊接區；
在所述氮化硼膜體上于電路槽及焊接槽以外的區域設置白油層，所述白油層用于光反射。
2.根據權利要求1所述的LED基板制備方法，其特征在于，所述氮化硼膜體的厚度為0.1-0.15毫米。
3.如權利要求1所述的LED基板制備方法，其特征在于，所述沉積氮化硼膜體包括如下步驟：
在反應裝置中放入氮化鋁金屬基板；
向所述反應裝置中通入BCl3氣體或B2H4氣體中的一種，以及NH3氣體；
將所述氮化鋁金屬基板加熱，在所述氮化鋁金屬基板上沉積氮化硼膜體。
4.如權利要求1所述的LED基板制備方法，其特征在于，在所述沉積氮化硼膜體步驟前還包括如下步驟：
在所述氮化鋁金屬基板上設置銅膜。
5.如權利要求3所述的LED基板制備方法，其特征在于，將所述氮化鋁金屬基板加熱至300-800℃。
6.如權利要求1所述的LED基板制備方法，其特征在于，所述電路槽與所述焊接槽連通。
7.一種LED基板，所述LED基板用于安裝氮化鎵LED芯片，其特征在于，包括氮化鋁金屬基板、設于所述氮化鋁金屬基板上的氮化硼膜體，所述氮化硼膜體上設置有電路槽及焊接槽，所述氮化硼膜體上還設置有白油層，所述白油層設于電路槽及焊接槽以外的區域，所述白油層用于光反射，所述電路槽及焊接槽內設置有銅層，所述LED基板還包括銀層，所述銀層設于所述焊接槽內銅層上表面。
8.如權利要求7所述的LED基板，其特征在于，在所述氮化鋁金屬基板與所述氮化硼膜體之間還設置有銅膜。
9.如權利要求7所述的LED基板，其特征在于，所述氮化硼膜體的厚度為0.1-0.15毫米。
10.如權利要求7所述的LED基板，其特征在于，所述電路槽與所述焊接槽連通。
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