[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201711444009.1
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108305874B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 林宏;國吉督章;寺井康浩;松尾繪理;葭谷俊明;淺野直城
• 申請（專利權）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 張永明

1.一種半導體裝置，具備：

基板，包括沿著所定的方向依次鄰接設置的第一區域、第二區域和第三區域；

第一配線，設置在所述基板上的所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域；

半導體膜，至少其一部分具有低電阻區域，并且，在所述第一區域，設置在所述第一配線與所述基板之間，并在所述第二區域，與所述第一配線接觸；

第二配線，設置在比所述半導體膜更接近所述基板的位置，并且在所述第三區域與所述第一配線接觸；以及

絕緣膜，設置在所述第一區域的所述第一配線與所述半導體膜之間，

所述半導體裝置進一步具有儲存電容器，

所述第二配線構成所述儲存電容器的一方的電極，

所述半導體膜通過所述第一配線與所述儲存電容器的所述一方的電極連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在所述第一區域，所述半導體膜的一部分從所述絕緣膜和所述第一配線露出。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，至少在所述第一區域，所述第一配線的寬度比所述半導體膜的寬度小。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一配線在所述第一區域具有端部，

從所述第一配線的所述端部到所述第二區域的距離，具有互相不同的多個值。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，進一步具有晶體管，

在所述半導體膜上，設置有所述晶體管的溝道區域。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，在所述半導體膜中，所述低電阻區域設置在所述溝道區域與所述第一區域之間，并且所述低電阻區域的厚度比所述第二區域的厚度小。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述晶體管在所述基板上依次具有所述半導體膜、柵極絕緣膜和柵電極。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述柵極絕緣膜含有與所述絕緣膜同一的構成材料，并且具有與所述絕緣膜同一的厚度，

所述柵電極含有與所述第一配線同一的構成材料，并且具有與所述第一配線同一的厚度。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，沿著所述所定的方向的所述第一區域的長度小于等于2μm。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一配線、半導體膜和所述第二配線的寬度小于等于5μm。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體膜含有氧化物半導體材料。

12.一種半導體裝置，具備：

基板，包括沿著所定的方向依次鄰接設置的第一區域、第二區域和第三區域；

第一配線，至少設置在所述基板上的所述第三區域；

第一絕緣膜，覆蓋所述第一配線；

半導體膜，以隔著所述第一絕緣膜的方式設置在所述基板上的所述第一區域和所述第二區域，并且至少其一部分具有低電阻區域；

第二絕緣膜，覆蓋所述半導體膜；以及

第二配線，隔著所述第二絕緣膜設置在所述基板上的所述第二區域和所述第三區域，并且通過設置在所述第二絕緣膜和所述第一絕緣膜上的連接孔，在所述第二區域與所述半導體膜接觸，并在所述第三區域與所述第一配線接觸，

所述第二配線的寬度和所述半導體膜的寬度比所述連接孔的寬度大，

所述半導體裝置進一步具有儲存電容器，

所述第一配線構成所述儲存電容器的一方的電極，

所述半導體膜通過所述第二配線與所述儲存電容器的所述一方的電極連接。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，在所述第一區域，所述半導體膜從所述第二絕緣膜和所述第二配線露出。