[發(fā)明專利]一種光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711443637.8
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN108152870B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張慧;凌森銀;杜恒;余旭濤;陳鵬;張?jiān)阼?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B5/00
• 分類號(hào): G02B5/00;G02B6/122;G02B6/10
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 饒欣

1.一種光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線，包括設(shè)于襯底(2)上表面的介質(zhì)波導(dǎo)(1)，其特征在于：所述介質(zhì)波導(dǎo)(1)上表面設(shè)有橫向和縱向兩對金屬正三棱柱(3)，兩對金屬正三棱柱(3)互相垂直，每對金屬正三棱柱(3)圍繞介質(zhì)波導(dǎo)(1)上表面中心呈領(lǐng)結(jié)結(jié)構(gòu)；所述金屬正三棱柱(3)的邊長范圍為0.16λ-0.2λ，λ為工作波長；所述介質(zhì)波導(dǎo)(1)的材料為Si₃N₄；所述介質(zhì)波導(dǎo)(1)的規(guī)格尺寸為3μm×1μm×0.1μm；所述襯底(2)的規(guī)格尺寸為3μm×3μm×0.6μm；所述金屬正三棱柱(3)的厚度為46nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線，其特征在于：所述襯底(2)的折射率小于介質(zhì)波導(dǎo)(1)的折射率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線，其特征在于：所述金屬正三棱柱(3)由貴金屬材料構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線，其特征在于：所述襯底(2)的材料為玻璃介質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子集成電路中雙領(lǐng)結(jié)金屬納米光學(xué)天線，其特征在于：所述每對金屬正三棱柱(3)中，兩個(gè)金屬正三棱柱(3)之間的間隔為50nm。