[發明專利]一種高取向的氧化物壓電薄膜的制備方法及壓電薄膜有效
| 申請號： | 201711441965.4 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108039407B | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發明（設計）人： | 陳顯鋒 | 申請（專利權）人： | 佛山市卓膜科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/22 | 分類號： | H01L41/22;H01L41/08 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 528251 廣東省佛山市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 取向 氧化物 壓電 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種高取向的氧化物壓電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
A.在基板上形成所述氧化物的非晶態固體層；
B.將步驟A中的非晶態固體層進行等離子表面處理；
C.對步驟B處理后的非晶態固體層進行加熱處理，使其變為結晶體，得壓電薄膜成品；
所述壓電薄膜的主晶體取向為(111)，(111)晶體取向的強度占各種晶體取向強度的總和的50％以上。
2.根據權利要求1所述的高取向氧化物壓電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中非晶態固體層的等離子處理過程是在真空或大氣條件下實施。
3.根據權利要求1所述的高取向的氧化物壓電薄膜的制備方法，其特征在于，所述壓電薄膜的晶體厚度為20～200nm。
4.根據權利要求1所述的高取向的氧化物壓電薄膜的制備方法，其特征在于，該制備方法還包括：以步驟C處理后的壓電薄膜為基底，通過外延沉積增加所述壓電薄膜的膜厚，并且增厚的壓電薄膜的主晶體取向與步驟C處理后得到的壓電薄膜的主晶體取向相同。
5.根據權利要求1所述的高取向的氧化物壓電薄膜的制備方法，其特征在于，該氧化物壓電薄膜以Pb，Zr，Ti，Ba，Bi，Fe，Sn，Sr中的兩種以上為主要成分。
6.一種如權利要求1～5中任一項所述的方法制備的高取向的氧化物壓電薄膜，其特征在于，該壓電薄膜以Pb、Zr和Ti為主要成分，并包括La、Nb、Mn、Fe、Ca、Cd、Sr、Ge和Hf中的至少一種。
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