[發明專利]一種AB類音頻功率放大器

有效

• 申請號: 201711441061.1
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108233878B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 薛蓉;張仁富
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/187;H03F3/21;H03G3/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種AB類音頻功率放大器，其特征在于，該放大器包括：輸入電路、偏置電路、放大電路、輸出電路、共模反饋電路和密勒補償電路，其中，所述放大電路用于對所述輸入電路輸出的信號進行放大，輸出給所述輸出電路；所述共模反饋電路用于檢測所述輸出電路輸出端的共模電壓；所述偏置電路用于為所述放大電路提供偏置；所述密勒補償電路用于滿足所述AB類音頻功率放大器的穩定性要求；所述放大電路包括第一組成電路、第二組成電路和第三組成電路，所述第三組成電路包括：第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管和第十晶體管；

所述第九晶體管的柵極與所述第十晶體管的柵極電連接，源極與所述第二組成電路的第十一晶體管的漏極電連接，漏極與所述第七晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第七晶體管的柵極與第五偏置電壓電連接，源極與所述第九晶體管的漏極電連接，漏極與所述第一組成電路的第三晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第十晶體管的柵極與所述第九晶體管的柵極電連接，源極與所述第二組成電路的第十二晶體管的漏極電連接，漏極與所述第八晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第八晶體管的柵極與所述第五偏置電壓電連接，源極與所述第十晶體管的漏極電連接，漏極與所述第一組成電路的第四晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第一組成電路包括：第三晶體管、第四晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管、第十八晶體管和第十九晶體管；

所述第十六晶體管的柵極與第二十晶體管的柵極電連接，源極與電源電壓電連接，漏極與所述第十八晶體管的源極電連接，襯底與所述電源電壓電連接；

所述第十七晶體管的柵極與第二十一晶體管的柵極電連接，源極與所述電源電壓電連接，漏極與所述第十九晶體管的源極電連接，襯底與所述電源電壓電連接；

所述第十八晶體管的柵極與第四偏置電壓電連接，源極與所述第十六晶體管的漏極電連接，漏極與所述第三晶體管的源極電連接，襯底與所述電源電壓電連接；

所述第十九晶體管的柵極與所述第四偏置電壓電連接，源極與所述第十七晶體管的漏極電連接，漏極與所述第四晶體管的源極電連接，襯底與所述電源電壓電連接；

所述第三晶體管的柵極與第二十三晶體管和第一電流源的公共端電連接，源極與所述第十八晶體管的漏極電連接，漏極與所述第二組成電路的第十一晶體管的漏極電連接，襯底與其自己的源極電連接；

所述第四晶體管的柵極與所述第二十三晶體管和所述第一電流源的公共端電連接，源極與所述第十九晶體管的漏極電連接，漏極與所述第二組成電路的第十二晶體管的漏極電連接，襯底與其自己的源極電連接；

所述第二組成電路包括：第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管和第十四晶體管；

所述第十一晶體管的柵極與第三偏置電壓電連接，源極與所述第十三晶體管的漏極電連接，漏極與所述第九晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第十二晶體管的柵極與所述第三偏置電壓電連接，漏極與所述第十晶體管的源極電連接，源極與所述第十四晶體管的漏極電連接，襯底接地；

所述第十三晶體管的柵極與所述共模反饋電路的正輸出端電連接，源極接地，漏極與所述第十一晶體管的源極電連接，襯底接地；

所述第十四晶體管的柵極與所述共模反饋電路的正輸出端電連接，源極接地，漏極與所述第十二晶體管的源極電連接，襯底接地。

2.根據權利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第五偏置電壓滿足以下關系：

V_PVDD-V_SG27+V_TH7≥V_B≥V_GS9-V_TH9+V_GS7+V_D-V_TH11；

其中，V_B表示所述第五偏置電壓；V_PVDD表示所述AB類音頻功率放大器的電源電壓；V_SG27表示第二十七晶體管的源極和柵極之間的電壓差；V_TH7表示所述第七晶體管的閾值電壓；V_GS9表示第九晶體管的柵極和源極之間的電壓差；V_TH9表示第九晶體管的閾值電壓；V_GS7表示第七晶體管的柵極和源極之間的電壓差；V_D表示第三偏置電壓；V_TH11表示所述放大電路中第十一晶體管的閾值電壓。