[發(fā)明專利]用于高密度SRAM的位線捆扎方案

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711440928.1
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109427389B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設計）人: D·R·S·雷迪;V·布林格維加拉加萬;V·B·蘇里
• 申請（專利權）人: 馬維爾亞洲私人有限公司
• 主分類號: G11C11/418
• 分類號: G11C11/418;G11C11/419
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種存儲器結構，包括寫入位開關器件，所述寫入位開關器件包括位于存儲器單元陣列的不同位置處的多個位開關器件，并且被配置為使能使用捆扎位線的在所述存儲器單元陣列的選定列上的特定數(shù)量的每位線單元處的寫入操作，所述寫入位開關器件進一步被配置為使能使用用于快速感測的另一非捆扎位線的讀取操作。

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器結構，其中所述多個位開關器件包括：

位于所述存儲器單元陣列的位片處的第一位開關器件；以及

位于所述存儲器單元陣列的陣列邊緣處的第二位開關器件。

3.根據(jù)權利要求1所述的存儲器結構，進一步包括寫入驅(qū)動器，其被配置為使用所述捆扎位線執(zhí)行在所述存儲器單元陣列的所述選定列上的所述寫入操作，以及所述捆扎位線為低電阻高電容位線配置。

4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器結構，進一步包括字線驅(qū)動器，其被配置為驅(qū)動用于所述寫入位開關器件的多個寫入位開關線。

5.根據(jù)權利要求4所述的存儲器結構，其中所述字線驅(qū)動器進一步被配置為使用多個反相器來驅(qū)動用于所述寫入位開關器件的所述多個寫入位開關線。

6.根據(jù)權利要求1所述的存儲器結構，其中所述另一非捆扎位線為高電阻低電容位線配置。

7.根據(jù)權利要求1所述的存儲器結構，其中所述存儲器單元陣列是靜態(tài)隨機存取存儲器的部分。

8.一種存儲器結構，包括寫入位開關器件，所述寫入位開關器件包括相對于存儲器單元陣列位于不同位置處的第一位開關器件和第二位開關器件，所述寫入位開關器件被配置為使能使用在所述存儲器單元陣列的兩個相鄰列之間共享的共享捆扎位線的在所述存儲器單元陣列的所述兩個相鄰列中的選定列的特定數(shù)量的每位線單元處的寫入操作。

9.根據(jù)權利要求8所述的存儲器結構，其中所述第一位開關器件位于所述存儲器單元陣列的位片處，以及所述第二位開關器件位于所述存儲器單元陣列的陣列邊緣處。

10.根據(jù)權利要求8所述的存儲器結構，進一步包括寫入驅(qū)動器，其被配置為使用所述存儲器單元陣列處的所述兩個相鄰列之間共享的所述共享捆扎位線執(zhí)行寫入操作，所述共享捆扎位線是低電阻高電容位線配置。

11.根據(jù)權利要求8所述的存儲器結構，進一步包括字線驅(qū)動器，其被配置為驅(qū)動用于所述寫入位開關器件的多個寫入位開關線。

12.根據(jù)權利要求11所述的存儲器結構，其中所述字線驅(qū)動器進一步被配置為使用多個反相器來驅(qū)動用于所述寫入位開關器件的所述多個寫入位開關線。

13.根據(jù)權利要求8所述的存儲器結構，其中所述寫入位開關器件進一步被配置為使能使用用于快速感測的另一非捆扎位線的讀取操作。

14.根據(jù)權利要求13所述的存儲器結構，其中所述另一非捆扎位線是高電阻低電容位線配置。

15.根據(jù)權利要求8所述的存儲器結構，其中至少一條寫入線從所述寫入位開關器件路由到所述存儲器單元陣列。

16.一種用于操作存儲器結構的方法，包括：

使用存儲器單元陣列的相鄰列之間的共享捆扎位線來建立用于寫入位開關器件的至少一個寫入操作；以及

在建立用于所述寫入位開關器件的所述至少一個寫入操作之后，使用所述共享捆扎位線在所述存儲器單元陣列的所述相鄰列的選定列的特定數(shù)量的每位線單元處執(zhí)行所述至少一個寫入操作。

17.根據(jù)權利要求16所述的方法，進一步包括在執(zhí)行所述至少一個寫入操作之前接收寫入位開關時鐘。