[發(fā)明專利]氣缸結(jié)構(gòu)及具有其的壓縮機(jī)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711440174.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108118294A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱勁波;史正良;郭霜;杜忠誠(chéng);楊森;徐嘉;任麗萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力節(jié)能環(huán)保制冷技術(shù)研究中心有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/16
• 分類號(hào): C23C14/16;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35;C23C28/00;F04B39/12
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;謝湘寧

1.一種氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

氣缸本體(10)，所述氣缸本體(10)的外周面設(shè)置有減磨層和過(guò)渡層，所述過(guò)渡層位于所述氣缸本體(10)的外周面和所述減磨層之間，其中，所述減磨層包括類金剛石層膜層(50)和摻雜類金剛石膜層(40)中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過(guò)渡層包括打底膜層(20)，所述打底膜層(20)設(shè)置于所述氣缸本體(10)的外周面上，所述減磨層位于所述打底膜層(20)的外側(cè)，所述打底膜層(20)為Cr膜層、Ti膜層、Zr膜層、W膜層、Mo膜層或Y膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過(guò)渡層還包括中部膜層(30)，所述中部膜層(30)位于所述氣缸本體(10)的外表面和所述減磨層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中部膜層(30)包括Me-N膜層、Me-C-N膜層、Me-C膜層中的至少一種，其中，Me為Cr、Ti、Zr、W、Mo或Y。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中部膜層(30)包括所述Me-N膜層、所述Me-C-N膜層和所述Me-C膜層，所述Me-N膜層均勻地設(shè)置于所述打底膜層(20)的外表面上，所述Me-C-N膜層均勻地設(shè)置于所述Me-N膜層的外表面上，所述Me-C膜層均勻地設(shè)置于所述Me-C-N膜層的外表面上，所述減磨層均勻地設(shè)置于所述Me-C-N膜層的外表面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減磨層包括所述類金剛石層膜層(50)和所述摻雜類金剛石膜層(40)，所述摻雜類金剛石膜層(40)均勻地設(shè)置于所述中部膜層(30)的表面上，所述類金剛石層膜層(50)均勻地設(shè)置于所述摻雜類金剛石膜層(40)的外表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述類金剛石層膜層(50)為含氫的非晶態(tài)碳的類金剛石，或者，

所述類金剛石層膜層(50)為四面體的非晶態(tài)碳的類金剛石，或者，

所述類金剛石層膜層(50)為含氫的四面體的非晶態(tài)碳的類金剛石。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻M類金剛石膜層，或者，所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻MC類金剛石膜層，其中，M為Cr、Ti、Zr、W、Mo、Y、Al、Ag、Cu、Si、B、N或F，MC為含M類的碳化物的類金剛石。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻M類金剛石膜層時(shí)，M的成分和C的成分均勻地設(shè)置，當(dāng)所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻MC類金剛石膜層時(shí)，MC的成分和C的成分均勻地設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻M類金剛石膜層時(shí)，M的成分和C的成分從逐漸遠(yuǎn)離所述氣缸本體(10)的外表面的方向呈逐漸遞增或逐漸遞減的設(shè)置方式，當(dāng)所述摻雜類金剛石膜層(40)為摻MC類金剛石膜層時(shí)，MC的成分和C的成分從逐漸遠(yuǎn)離所述氣缸本體(10)的外表面的方向呈逐漸遞增或逐漸遞減的設(shè)置方式。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜類金剛石膜層(40)包括摻M類金剛石膜層和摻MC類金剛石膜層，所述摻M類金剛石膜層和摻MC類金剛石膜層交替地設(shè)置。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氣缸本體(10)由鋼材制成，或者，所述氣缸本體(10)由經(jīng)過(guò)滲氮處理后的鋼材制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣缸結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述減磨層和所述過(guò)渡層的厚度為L(zhǎng)1，其中，0.5μm≤L1≤1.9μm，或者，4μm≤L1≤10μm。