[發(fā)明專利]單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜測(cè)定裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711440157.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108226095B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王偉;劉濤;李萌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/47 | 分類號(hào): | G01N21/47 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210046 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單個(gè) 納米 粒子 電化學(xué) 阻抗 測(cè)定 裝置 方法 | ||
本發(fā)明公開了單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜測(cè)定裝置及方法,所述裝置包括:?jiǎn)紊す庹{(diào)節(jié)模塊,用于將單色激光引入暗場(chǎng)成像中并調(diào)節(jié)所述單波長(zhǎng)的范圍;粒子激發(fā)模塊,與所述單色激光調(diào)節(jié)模塊連接,用于激發(fā)具有局域等離子共振的貴金屬的單個(gè)納米粒子的散射共振,包括平凸透鏡和電化學(xué)池;電壓施加模塊,與所述粒子激發(fā)模塊連接,用于給所述電化學(xué)池施加周期性調(diào)制電壓;粒子散射強(qiáng)度檢測(cè)模塊,與所述電壓施加模塊和粒子激發(fā)模塊相連接,包括鎖相放大器和光電倍增管;本發(fā)明將單色激光引入暗場(chǎng)成像中,在檢測(cè)器方面將光電倍增管配備鎖相放大器,這使得可以在電壓調(diào)制下通過直接檢測(cè)單個(gè)納米粒子的散射強(qiáng)度值變化,獲得單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電化學(xué)阻抗譜測(cè)定領(lǐng)域,具體涉及一種單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜測(cè)定裝置及方法。
背景技術(shù)
電化學(xué)阻抗譜不僅是研究電極表面變化的最有用的電化學(xué)方法之一,而且還可以為化學(xué)和生物傳感器的應(yīng)用提供一個(gè)非常有前景的研發(fā)平臺(tái)。基于電化學(xué)阻抗譜的電化學(xué)方法已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于不同領(lǐng)域,例如,從最初的用于測(cè)定電極表面的雙電層電容發(fā)展到如今的可以直接追蹤化合物的形成過程、構(gòu)建新型的免疫學(xué)檢測(cè)方法以及優(yōu)化設(shè)計(jì)燃料電池的性能等并且由于電化學(xué)阻抗譜對(duì)電極表面的變化十分敏感,因此它被廣泛用作一個(gè)傳感平臺(tái)去研究生物大分子之間的識(shí)別和生物傳感器的開發(fā)。然而,傳統(tǒng)電化學(xué)阻抗譜方法呈現(xiàn)的是整個(gè)電極表面的電化學(xué)行為。但是,在實(shí)際中,整個(gè)電極表面不是均一的,局部區(qū)域存在較大差異。
為了使得電化學(xué)阻抗譜能研究電極表面局域地方的電化學(xué)行為,基于局域的電化學(xué)阻抗譜被研發(fā)了出來,它可以直接用于對(duì)電極局域部分進(jìn)行成像和交流阻抗分析。雖然這種局域的電化學(xué)阻抗譜可以用于研究電極表面不同地方的電化學(xué)行為,但是它存在空間分辨率不足的缺陷。為了彌補(bǔ)這個(gè)缺陷,基于表面等離子體共振的顯微電化學(xué)阻抗譜法被研發(fā)了出來,該方法不僅可以對(duì)電極表面的局部進(jìn)行阻抗分析,同時(shí)它還具備了亞微米級(jí)別的空間分辨率,該方法被廣泛用于研究單個(gè)細(xì)胞中的化學(xué)反應(yīng)過程、分子間的識(shí)別作用以及小分子物質(zhì)的檢測(cè),但目前鮮有人研究納米級(jí)別的單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜測(cè)定裝置和方法,其解決了只能針對(duì)直流電壓即DC模式調(diào)控下的納米粒子的充放電行為和在低頻范圍會(huì)內(nèi)受到電解質(zhì)溶液的離子重排影響的問題。
技術(shù)方案:本發(fā)明所述的單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜測(cè)定裝置,該裝置包括:
單色激光調(diào)節(jié)模塊,用于將單色激光引入暗場(chǎng)成像中并調(diào)節(jié)所述單色激光的單波長(zhǎng)范圍。所述聲光調(diào)節(jié)模塊包括單色激光光源和聲光可調(diào)濾波器;
粒子激發(fā)模塊,與所述聲光調(diào)節(jié)模塊連接,用于激發(fā)具有局域等離子共振的貴金屬的單個(gè)納米粒子發(fā)生散射共振,包括平凸透鏡和電化學(xué)池;
電壓施加模塊,與所述粒子激發(fā)模塊連接,用于給所述電化學(xué)池施加周期性調(diào)制電壓;
粒子散射強(qiáng)度檢測(cè)模塊,與所述電壓施加模塊和粒子激發(fā)模塊相連接,用于記錄所述具有局域等離子共振的貴金屬的單個(gè)納米粒子的散射幅值與其對(duì)應(yīng)的相位信息,獲得所述單個(gè)納米粒子的電化學(xué)阻抗譜,包括鎖相放大器和光電倍增管。
優(yōu)選的,所述單色激光光源和聲光可調(diào)濾波器連接,所述聲光可調(diào)濾波器用于單波長(zhǎng)的輸出。
優(yōu)選的,所述電化學(xué)池的電極表面固定所述具有局域等離子共振的貴金屬納米材料,并加入電解質(zhì)溶液。
優(yōu)選的,所述電壓施加模塊包括函數(shù)發(fā)生器和電化學(xué)工作站,所述函數(shù)發(fā)生器控制所述電化學(xué)工作站給所述電化學(xué)池施加調(diào)制電壓。
優(yōu)選的,所述粒子激發(fā)模塊還包括反射模塊,所述反射模塊包括兩塊反射鏡和夾在兩個(gè)反射鏡之間的狹縫,通過所述狹縫選擇所述貴金屬的單個(gè)納米粒子。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





