[發明專利]開關控制電路及電視機有效
| 申請號: | 201711439411.0 | 申請日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN107948555B | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 陳成輝;溫錫奎;劉志成 | 申請(專利權)人: | TCL通力電子(惠州)有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/63 | 分類號: | H04N5/63;H04N21/443 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
| 地址: | 516006 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關 控制電路 電視機 | ||
本發明公開了一種開關控制電路及電視機,該開關控制電路包括電源輸入端、電源輸出端、開關信號輸入端、開關電路單元、延時電路單元、三極管控制電路單元及電源控制電路單元;延時電路單元對開關信號輸入端輸入的開關信號進行延時處理,并將延時處理后的開關信號分別輸出至開關電路單元和三極管控制電路單元;開關電路單元根據延時處理后的開關信號控制電源輸入端的電源輸出至電源輸出端,以控制供電對象的供電狀態;三極管控制電路單元根據延時處理后的開關信號輸出相應的反饋控制信號至電源控制電路單元;電源控制電路單元根據反饋控制信號輸出相應的電源電壓至電源輸入端。本發明能夠降低電路的成本,同時還能夠提高電路的可靠性。
技術領域
本發明涉及電子技術領域,尤其涉及一種開關控制電路及電視機。
背景技術
在傳統的電源管理系統中,為了在待機等情況下將部分電路模塊關閉,以降低不必要的損耗,通常都會使用一開關控制電路來控制電源的供電。圖1為現有技術中開關控制電路一實施例的結構示意圖,參照圖1,該開關控制電路包括電源輸入端101、電源輸出端102、開關信號輸入端103及開關電路單元104。其中,所述開關電路單元104包括NPN三極管Q11、第一電阻R11、第二電阻R12、第一電容C11、第二電容C12、PMOS管Q12及電解電容CE1。具體地,所述NPN三極管Q11的基極與所述開關信號輸入端103連接,所述NPN三極管Q11的發射極接地,所述NPN三極管Q11的集電極經所述第一電阻R11分別與所述第二電阻R12的第一端、所述第一電容C11的第一端、所述PMOS管的柵極及所述第二電容C12的第一端連接,所述第二電阻R12的第二端、所述第一電容C11的第二端及所述PMOS管的源極均與所述電源輸入端101連接,所述PMOS管的漏極及所述第二電容C12的第二端均與所述電源輸出端102連接,所述電解電容CE11的正極與所述電源輸出端102連接,所述電解電容CE11的負極接地。
圖1所示開關控制電路的工作原理為:當需要對某個電路模塊進行供電時,將此電路模塊的供電端接至所述電源輸出端102,將供電電壓源或者電流源接至所述電源輸入端101。當所述開關信號輸入端103的開關信號為高電平時,所述NPN三極管Q11導通,此時所述電源輸入端101輸入的電源經所述第一電阻R11和所述第二電阻R12組成的分壓電路對所述第一電容C11進行充電,所述第一電容C11上的電壓使所述PMOS管Q12的柵極與源極之間的電壓Vgs大于其導通電壓閾值Vth,使得所述PMOS管Q12導通,從而使得所述電源輸入端101輸入的電源通過所述PMOS管Q12輸出至所述電源輸出端102,對相應的電路模塊進行供電,使該電路模塊上電工作;當待機時需要控制某個電路模塊斷電時,則控制所述開關信號輸入端103的開關信號為低電平,使得所述NPN三極管Q11關斷,從而使得所述第一電阻R11的電流為0,則所述第一電容C11對所述第二電阻R12放電,直到所述PMOS管Q12的柵極與源極之間的電壓Vgs小于其導通電壓閾值Vth,使得所述PMOS管Q12關斷,從而切斷所述電源輸出端102對該電路模塊的供電。
上述開關控制電路的結構簡單,能滿足大部分場合中電路模塊的供電控制要求,但是該開關控制電路在所述PMOS管Q12的導通過程中,所述PMOS管Q12的漏極和源極之間的電壓差Vds從所述電源輸入端101的電源電壓Vin降低到0V,所述PMOS管Q12處于線性導通的過程,而這段時間內流過所述PMOS管Q12的所有電流需將所述電解電容CE11的電壓充滿,根據P=U*I,使得所述PMOS管Q12的瞬時損耗較大,其瞬時損耗為當所述電源輸入端101輸入的電壓Uin增加到2倍時,則所述PMOS管Q12導通時的瞬時損耗相當于增加到4倍,從而容易造成所述PMOS管Q12的損壞,使得該開關控制電路的可靠性不高;同理,所述PMOS管Q12在關斷時由于負載電流的存在,所述PMOS管Q12在關斷過程中由于其漏極和源極之間的電壓差Vds逐漸變大,也將導致一定的瞬時損耗。因此,圖1所示開關控制電路中的PMOS管Q12需要選用大功率的PMOS管以確保其導通和關閉時的瞬時損耗不會造成所述PMOS管Q12的損壞,而大功率的PMOS管的成本較高。
發明內容
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