[發(fā)明專利]用多靶射頻磁控濺射法制備超薄CdTe太陽(yáng)電池的技術(shù)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711439376.2
• 申請(qǐng)日: 2017-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108183143A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎兵;王文武;曾廣根;張靜全;武莉莉;李衛(wèi);劉才;郝霞;馮良桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0392
• 分類號(hào): H01L31/0392;H01L31/18;C23C14/35
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.本專利的特征是利用多靶射頻磁控濺射技術(shù)，制備新型超薄的CdTe基薄膜太陽(yáng)電池的新技術(shù)，包括：

新型超薄的CdTe基薄膜太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)；

新型超薄的CdTe基薄膜太陽(yáng)電池的多靶磁控濺射技術(shù)制備細(xì)節(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述，其特征是含有超薄的CdTe基的化合物薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述，其特征是利用CdTe薄膜材料對(duì)太陽(yáng)光吸收的優(yōu)越特性，設(shè)計(jì)出的一種新型的超薄CdTe太陽(yáng)電池，以FTO glass/10納米n-CdS/900納米p-CdTe為主干結(jié)構(gòu)，接著退火腐蝕后，在沉積上背接觸層（如ZnTe:Cu）、背電極（如Au），就制備完成超薄CdTe基薄膜太陽(yáng)電池。