[發明專利]焊盤結構的制作方法及倒裝LED芯片的制作方法

在審

• 申請號: 201711437486.5
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108110127A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 李東昇;丁海生;馬新剛;趙進超
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/40
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種焊盤結構的制作方法，所述焊盤結構應用于倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片包括由上而下的襯底、外延層、電流擴展層、連通電極、絕緣反射層和焊盤結構，其特征在于，包括：

通過蒸發或濺射方式在所述絕緣反射層上形成第一接觸層；

通過電鍍或化學鍍方式在所述第一接觸層上形成阻隔層；

通過電鍍或化學鍍方式形成共金層；

所述共金層的材料為錫銀合金。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述錫銀合金中銀的含量為3％-5％。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述共金層的厚度為0.1-1μm。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸層包括鈦層及鈦層之上的鋁層。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔層的材料為鎳。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔層的厚度為0.1-5μm。

7.一種倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成外延層，所述外延層包括依次形成的第一半導體層、發光層和第二半導體層，所述外延層中形成有至少一個暴露所述第一半導體層的凹槽；

在所述第二半導體層上形成電流擴展層，所述電流擴展層中形成有暴露所述凹槽的電流擴展層開孔；

形成第一連通電極和第二連通電極，所述第一連通電極位于所述凹槽內的第一半導體層上，所述第二連通電極位于所述電流擴展層上；

在所述電流擴展層上形成絕緣反射層，所述絕緣反射層中形成有暴露所述第一連通電極的第一絕緣反射層開孔和暴露所述第二連通電極的第二絕緣反射層開孔；

在所述絕緣反射層上形成第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤通過第一絕緣反射層開孔與所述第一連通電極形成電連接，所述第二焊盤通過第二絕緣反射層開孔與所述第二連通電極形成電連接；

其中，所述第一焊盤和所述第二焊盤均包括依次形成的第一接觸層、阻隔層和共金層，所述共金層的材料為錫銀合金。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述絕緣反射層上形成第一焊盤和第二焊盤包括：

通過蒸發或濺射方式在所述絕緣反射層上形成第一接觸層；

通過電鍍或化學鍍方式在所述第一接觸層上形成阻隔層；

通過電鍍或化學鍍方式形成共金層。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述錫銀合金中銀的含量為3％-5％。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述共金層的厚度為0.1-1μm。

11.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸層包括鈦層及鈦層之上的鋁層。

12.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔層的材料為鎳。

13.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔層的厚度為0.1-5μm。

14.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成第一連通電極和所述第二連通電極包括：

通過蒸發或濺射方式在所述第一半導體層以及電流擴展層上形成第二接觸層；

通過蒸發或濺射方式在所述第二接觸層上形成電連接層。

15.根據權利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述第二接觸層的材料為鉻。