[發明專利]一種多樣性納米結構復合陣列及其制備方法在審
| 申請號： | 201711437441.8 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108264016A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 李越;邢昌昌;劉迪龍;劉廣強;蔡偉平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;李闖 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米顆粒 復合陣列 納米結構 基底 納米顆粒陣列 多樣性 制備 表面雜質 去除 毛細管力作用 納米顆粒溶液 尺寸納米 分散均勻 恒溫干燥 緊密排列 制作過程 紫外臭氧 清洗機 滴加 放入 清洗 組裝 | ||
1.一種多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟A、將帶有第一種納米顆粒陣列的基底放入紫外臭氧清洗機中進行清洗，以去除表面雜質；其中，所述的第一種納米顆粒陣列為非緊密排列有序陣列；
步驟B、將分散均勻的第二種納米顆粒溶液滴加在步驟A處理后的帶有第一種納米顆粒陣列的基底上，并進行恒溫干燥，干燥后即制得多樣性納米結構復合陣列。
2.根據權利要求1所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述的第一種納米顆粒采用金屬納米顆粒、半導體納米顆粒、高分子納米顆粒中的至少一種；所述的第二種納米顆粒采用金屬納米顆粒、半導體納米顆粒、高分子納米顆粒中的至少一種。
3.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述第一種納米顆粒陣列的粒徑范圍為200～1000nm；所述第二種納米顆粒的粒徑范圍為10～100nm。
4.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述第一種納米顆粒與所述第二種納米顆粒為不同成分的納米顆粒。
5.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述第一種納米顆粒與所述第二種納米顆粒為不同尺寸的納米顆粒。
6.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述基底采用第二種納米顆粒可以潤濕的基底。
7.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述第二種納米顆粒溶液的溶劑采用使第二種納米顆粒穩定存在的純溶劑。
8.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，通過調整所述恒溫干燥的干燥溫度調控溶液液滴的干燥速率，從而使干燥完成后第二種納米顆粒在所述基底的不同區域均勻分布。
9.根據權利要求1或2所述的多樣性納米結構復合陣列的制備方法，其特征在于，所述多樣性納米結構復合陣列是第二種納米顆粒緊密圍繞在第一種納米顆粒四周的有序形貌。
10.一種多樣性納米結構復合陣列，其特征在于，采用上述權利要求1至9中任一項所述的制備方法制備而成。
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