[發明專利]一種熱調硅鍺光電探測結構有效
| 申請號： | 201711437302.5 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108063144B | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發明（設計）人： | 王磊;肖希;陳代高;李淼峰;張宇光;胡曉;馮朋;余少華 | 申請（專利權）人： | 武漢郵電科學研究院 |
| 主分類號： | H01L27/144 | 分類號： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 彭程程 |
| 地址： | 430074 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熱調硅鍺 光電 探測 結構 | ||
1.一種熱調硅鍺光電探測結構，設置于硅基光子集成芯片中，所述硅基光子集成芯片包括襯底硅、覆蓋在襯底硅頂面的埋氧層、以及覆蓋在埋氧層頂面的覆蓋層，其特征在于，所述熱調硅鍺光電探測結構包括：
硅鍺探測器，其設置于所述埋氧層頂面，且位于所述覆蓋層內；
加熱裝置，其包括設置于所述覆蓋層內的加熱器，且所述加熱器加熱時，能改變所述硅鍺探測器的溫度；
所述加熱器兩端至覆蓋層頂面分別通過陰極通孔和陽極通孔連通，所述加熱裝置還包括設置于陰極通孔頂端的陰極，以及設置在陽極通孔頂端的陽極，且在陰極和陽極加上電壓時，所述加熱器加熱；
所述加熱器為電阻加熱器，加熱器的底面高于所述硅鍺探測器的頂面。
2.如權利要求1所述的熱調硅鍺光電探測結構，其特征在于：所述加熱器與所述硅鍺探測器之間的空間距離小于等于10μm。
3.如權利要求2所述的熱調硅鍺光電探測結構，其特征在于：所述加熱器的底面和硅鍺探測器的頂面之間的距離小于等于3μm。
4.如權利要求1-3任一項所述的熱調硅鍺光電探測結構，其特征在于：所述硅鍺探測器為面入射型探測器或波導型探測器。
5.如權利要求1-3任一項所述的熱調硅鍺光電探測結構，其特征在于：所述陰極和陽極均為導電金屬材料，所述陰極通孔和陽極通孔內均填充導電金屬材料。
6.如權利要求1-3任一項所述的熱調硅鍺光電探測結構，其特征在于：所述埋氧層和覆蓋層均為二氧化硅材料，所述襯底硅為硅材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
