[發明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件有效
| 申請號： | 201711435544.0 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN109962170B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 楊一行;程陸玲 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 及其 制備 方法 qled 器件 | ||
1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜由高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子點組成，所述高分子材料由兩種阻隔高分子材料組成，所述兩種阻隔高分子材料的重均分子量均高于10萬；
所述量子點為核殼量子點；所述薄膜為QLED器件發光層；
所述阻隔高分子材料選自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的兩種。
2.根據權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述量子點占薄膜的質量分數為0.5-20％。
3.根據權利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述量子點占薄膜的質量分數為2-10％。
4.根據權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述兩種阻隔高分子材料的載流子遷移率均在10-6cm2V-1s-1以上。
5.根據權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述量子點選自以CdTe或CdTeS為核的核殼量子點中的一種。
6.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
將量子點和高分子材料混合在分散介質中；
將混合后的溶液制成薄膜，得到所述薄膜；
所述高分子材料由兩種阻隔高分子材料組成，所述兩種阻隔高分子材料的重均分子量均高于10萬；
所述量子點為核殼量子點；所述薄膜為QLED器件發光層；
所述阻隔高分子材料選自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的兩種。
7.根據權利要求6所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點為油溶性量子點，所述油溶性量子點的表面配體為硫醇或羧酸。
8.根據權利要求6所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點選自以CdTe或CdTeS為核的核殼量子點中的一種。
9.根據權利要求6所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述薄膜中，所述量子點的質量分數為0.5-20％。
10.根據權利要求9所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點的質量分數為2-10％。
11.一種QLED器件，所述QLED器件包括量子點發光層，其特征在于，所述量子點發光層為權利要求1-5任一項所述薄膜。
12.根據權利要求11所述的QLED器件，其特征在于，所述薄膜的厚度為10-80nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
