[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制備方法、陣列基板的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711435443.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108198756B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋顯旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/336;H01L21/84;H01L29/45
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進(jìn)

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括在同一道光罩工藝中制備形成有源層、源電極和柵電極的步驟，該步驟包括：

依次沉積形成本征半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、第一金屬層和銅金屬層；

應(yīng)用第一次濕刻工藝，刻蝕去除第一區(qū)域之外的第一金屬層和銅金屬層；

對(duì)所述銅金屬層的裸露側(cè)壁進(jìn)行等離子體氧化處理，使所述銅金屬層的裸露側(cè)壁形成氧化保護(hù)膜；其中，應(yīng)用干刻設(shè)備對(duì)所述銅金屬層的裸露側(cè)壁進(jìn)行等離子體氧化處理，其工藝條件為：功率為800～20000W，氧化氣體為O₂，氣體流量為300～3000sccm，氣壓為30～2000mT，時(shí)間為20～120s；

應(yīng)用第一次干刻工藝，刻蝕去除第一區(qū)域之外的本征半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成有源層；

應(yīng)用第二次濕刻工藝，刻蝕去除位于所述第一區(qū)域中的第二區(qū)域的第一金屬層和銅金屬層以及所述氧化保護(hù)層，形成相互間隔的源電極和漏電極；

應(yīng)用第二次干刻工藝，刻蝕去除所述第二區(qū)域中的摻雜半導(dǎo)體層，形成位于所述源電極和漏電極與所述有源層之間的歐姆接觸層；

其中，所述第一次濕刻工藝和所述應(yīng)用第二次濕刻工藝的刻蝕液中包括H₃PO₄、CH₃COOH和HNO₃；所述第一次干刻工藝的刻蝕氣體為SF₆和Cl₂，所述第二次干刻工藝的刻蝕氣體為SF₆和He。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述本征半導(dǎo)體層的材料為非晶硅，所述摻雜半導(dǎo)體層的材料為N+摻雜的非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層的材料選自Mo、Ti和Nd中的一種或兩種以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述銅金屬層的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟：

S1、應(yīng)用第一道光罩工藝，在襯底基板上制備形成柵電極；

S2、在所述柵電極上沉積形成柵極絕緣層；

S3、應(yīng)用第二道光罩工藝，在所述柵極絕緣層上制備形成所述有源層、源電極和漏電極。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

采用如權(quán)利要求1-6任一所述的制備方法在襯底基板上制備形成陣列排布的薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管上制備形成平坦層；

應(yīng)用第三道光罩工藝，在所述平坦層中形成過(guò)孔；

應(yīng)用第四道光罩工藝，在所述平坦層制備形成圖案化的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔電性連接到所述薄膜晶體管。