[發(fā)明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711435211.8
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN109962128A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊一行;程陸玲
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子點，其中所述高分子材料包括至少一種阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10萬，所述高分子材料還包括至少一種電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料的重均分子量低于10萬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料占高分子材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于10%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述高分子材料由一種阻隔高分子材料和一種電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述量子點占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-20%。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述量子點占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-10%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料選自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述量子點選自CdTe、CdTeS及以CdTe或CdTeS為核的核殼量子點中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的載流子遷移率在10^-6 cm²V^-1s^-1以下，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料選自導(dǎo)電高分子，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料占高分子材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-5%。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述導(dǎo)電高分子選自聚乙炔、聚苯硫醚、聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的載流子遷移率在10^-6 cm²V^-1s^-1以上，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料選自非導(dǎo)電高分子，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料占高分子材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-10%。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜，其特征在于，所述非導(dǎo)電高分子選自酚醛樹脂、聚乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚碳酸酯中的一種。

12.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

將量子點和高分子材料混合在分散介質(zhì)中；

將混合后的溶液制成薄膜，得到所述薄膜；

其中所述高分子材料包括至少一種阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10萬，所述高分子材料還包括至少一種電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料的重均分子量低于10萬。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述高分子材料由一種阻隔高分子材料和一種電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料組成，所述電荷傳輸調(diào)節(jié)高分子材料占高分子材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于10%。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點為油溶性量子點，所述油溶性量子點的表面配體為硫醇或羧酸。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點選自CdTe、CdTeS及以CdTe或CdTeS為核的核殼量子點中的一種。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述薄膜中，所述量子點的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-20%。