[發明專利]一種柔性基板的改性方法有效
| 申請號: | 201711434964.7 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN108091581B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 王亞楠 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/15 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址: | 518000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性基板 玻璃基板 混合物 纖維素納米 剝離 改性 聚酰亞胺溶液 得到混合物 混合物涂布 加熱固化 犧牲層 烘烤 溶劑 相態 去除 優化 激光 聚焦 | ||
1.一種柔性基板的改性方法,其特征在于,包括下述步驟:
將聚酰亞胺溶液與纖維素納米晶材料進行混合,得到混合物,并將所述混合物涂布在玻璃基板上;
對涂布在所述玻璃基板上的混合物進行烘烤,去除所述混合物中的溶劑,將所述混合物進行相態分離,并使得所述纖維素納米晶材料靠近所述玻璃基板;
對所述混合物進行加熱固化,得到柔性基板;
利用激光對所述柔性基板進行聚焦,將所述柔性基板與所述玻璃基板剝離。
2.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,所述纖維素納米晶材料的質量占所述聚酰亞胺溶液中的聚酰亞胺材料與所述纖維素納米晶材料總質量的0.3%~10%。
3.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,對所述混合物進行烘烤時,烘烤溫度為100℃~150℃。
4.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,對所述混合物進行加熱固化時,加熱溫度范圍為200℃~400℃。
5.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,利用激光對所述柔性基板進行聚焦中所述激光的波長為150nm~250nm。
6.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,所述聚酰亞胺溶液中的聚酰亞胺材料的化學結構式為:
其中,R為烷基鏈,n>1。
7.根據權利要求1所述的柔性基板的改性方法,其特征在于,所述纖維素納米晶材料的化學結構式為:
其中,R1、R2、R3、R4、R5以及R6均為烷基鏈,n>1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





