[發(fā)明專利]三維石墨烯的酶促降解方法及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711434816.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109956469B | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙克麗;程國(guó)勝;郝瑩;楊令延;姜自云;馬迅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B32/194 | 分類號(hào): | C01B32/194 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王茹;王鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 石墨 降解 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于包括:
對(duì)三維石墨烯進(jìn)行活化處理,從而至少在三維石墨烯的表面和所含孔洞的孔壁上形成活性官能團(tuán);
利用所述的活性官能團(tuán)至少在三維石墨烯的表面和所含孔洞的孔壁上形成不連續(xù)的親水性修飾層,所述親水性修飾層的材質(zhì)為親水性修飾材料,所述親水性修飾材料選自聚多巴胺、層粘連蛋白、多聚鳥氨酸、NH2-(CH2)2-O-(CH2)2-O-(CH2)2-O-(CH2)2-O-(CH2)2-NH2中的任意一種或兩種以上的組合;
利用所述親水性修飾層至少在三維石墨烯表面連接酶的還原底物,所述酶的還原底物為兒茶酚,所述的酶能夠降解碳材料,所述的酶為辣根過氧化物酶;
以及,利用所述的酶降解連接有所述還原底物的三維石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述的活化處理包括氧化處理,所述的活性官能團(tuán)包括含氧官能團(tuán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于包括:至少選用氧化試劑或氧等離子體對(duì)所述三維石墨烯進(jìn)行所述的氧化處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述氧化處理的溫度為30~50℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述方法包括選用氧化試劑對(duì)所述三維石墨烯進(jìn)行氧化處理20~40分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述方法包括選用氧等離子體對(duì)所述三維石墨烯進(jìn)行氧化處理30s~5分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述氧化試劑為混酸,所述混酸為濃硫酸和濃硝酸的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述濃硫酸與濃硝酸的體積比為2:1~4:1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述親水性修飾層的厚度小于100nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述親水性修飾層包含開放的孔洞結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、9或10所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述三維石墨烯的表面和所含孔洞的孔壁的99%以上的區(qū)域從所述親水性修飾層中暴露出。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述三維石墨烯的孔隙率為99.3~99.7%,孔徑為100~300μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于包括:使親水性修飾材料在具有所述活性官能團(tuán)的三維石墨烯的表面和所含孔洞的孔壁上聚合,從而形成所述的親水性修飾層,之后真空干燥。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述聚合的溫度為25~30℃,時(shí)間為30s~120min。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的三維石墨烯的酶促降解方法,其特征在于:所述真空干燥的溫度為25~35℃,時(shí)間為24~48h。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué),未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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