[發明專利]一種增強抗單粒子能力加固的槽型柵功率器件有效
| 申請號： | 201711433356.4 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108122990B | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 陸江;劉海南;卜建輝;蔡小五;羅家俊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 增強 粒子 能力 加固 槽型柵 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種增強抗單粒子能力加固的槽型柵功率器件，其特征在于，所述器件包括：
N+源極接觸，所述N+源極接觸為深槽結構；
Pwell區域，所述Pwell區域位于N+源極的下方；
N漂移區，所述N漂移區位于所述Pwell區域的下方；
其中，所述N+源極、Pwell區域、N漂移區構成寄生NPN晶體管結構；
其中，所述器件還包括：
N型空穴阻擋層，所述N型空穴阻擋層設置在所述N+源極的下方，阻擋空穴載流子流動；
所述深槽結構兩側填充有厚氧化層介質，所述深槽結構底部形成P+區域，吸收空穴載流子；
所述N+源極接觸穿過所述N型空穴阻擋層區域，所述N型空穴阻擋層位于所述Pwell區域內；
所述深槽結構位于所述Pwell區域內。
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