[發明專利]封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201711433328.2
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN109962038A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 鐘育華;楊孟融;陳彥儒;王泰瑞
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院;創智智權管理顧問股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種封裝結構及其形成方法。此封裝結構包括形成于基板上的圖案化的重新分配層。此封裝結構也包括形成于圖案化的重新分配層上的管芯及底部填充物層。底部填充物層直接接觸圖案化的重新分配層與管芯。此封裝結構也包括由緩沖材料所形成的緩沖層。緩沖層形成于基板上且直接接觸圖案化的重新分配層的側壁。此封裝結構也包括由模制化合物材料所形成的模制化合物層。模制化合物層形成于底部填充物層、管芯及緩沖層上。模制化合物材料的楊氏系數大于緩沖材料的楊氏系數。

技術領域

本發明涉及一種封裝結構，還涉及一種具有緩沖層的封裝結構及其形成方法。

背景技術

隨著可攜式多媒體電子產品及穿戴式電子裝置的蓬勃發展，封裝技術朝向更高的元件集成度、更快的信號處理速度及超薄化的方向發展。

然而，由于封裝結構中所使用的各種不同的材料具有不同的熱膨脹系數，當制造或使用具有此封裝結構的電子裝置時，因為熱能所產生的熱應力將可能造成封裝結構的翹曲，甚至是電子裝置的失效。這樣的技術問題在薄型化的封裝結構變得更加嚴重。

因此，為了進一步提升薄型化電子裝置的良率、可靠度、效能穩定性與產品生命周期，仍有需要對封裝結構進行改良。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種封裝結構，包括：圖案化的重新分配層，形成于基板上；管芯，形成于圖案化的重新分配層上；底部填充物層，形成于圖案化的重新分配層上，其中底部填充物層直接接觸圖案化的重新分配層與管芯；緩沖層，形成于基板上且直接接觸圖案化的重新分配層的側壁，其中緩沖層由緩沖材料所形成；以及模制化合物層，形成于底部填充物層、管芯及緩沖層上，且模制化合物層由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的楊氏系數大于緩沖材料的楊氏系數。

本發明另提供一種封裝結構，包括：圖案化的重新分配層，形成于基板上；管芯，形成于圖案化的重新分配層上；底部填充物層，形成于圖案化的重新分配層上，其中底部填充物層直接接觸圖案化的重新分配層與管芯；靜電防護環，包圍圖案化的重新分配層，且靜電防護環的側壁直接接觸圖案化的重新分配層的側壁；緩沖層，形成于基板上且包圍靜電防護環，其中緩沖層由緩沖材料所形成；以及模制化合物層，形成于底部填充物層、管芯及緩沖層上，且模制化合物層由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的楊氏系數大于緩沖材料的楊氏系數。

本發明另提供一種封裝結構的形成方法，包括：形成圖案化的重新分配層于基板上；形成管芯于圖案化的重新分配層上；形成底部填充物層于圖案化的重新分配層上，其中底部填充物層直接接觸圖案化的重新分配層與管芯；在形成圖案化的重新分配層之后，形成緩沖層于基板上且直接接觸圖案化的重新分配層的側壁，其中緩沖層由緩沖材料所形成；以及形成模制化合物層于底部填充物層、管芯及緩沖層上，且模制化合物層由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的楊氏系數大于緩沖材料的楊氏系數。

本發明又提供一種封裝結構的形成方法，包括：形成圖案化的重新分配層于基板上；形成管芯于圖案化的重新分配層上；形成底部填充物層于圖案化的重新分配層上，其中底部填充物層直接接觸圖案化的重新分配層與管芯；在形成圖案化的重新分配層之后，形成導電柱于基板上，其中導電柱并未直接接觸圖案化的重新分配層；形成靜電防護環，包圍圖案化的重新分配層，且靜電防護環的側壁直接接觸圖案化的重新分配層的側壁；形成緩沖層于基板上且包圍靜電防護環，其中該緩沖層接觸該導電柱的一側壁且該緩沖層由緩沖材料所形成；以及形成模制化合物層于底部填充物層、管芯及緩沖層上，且模制化合物層由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的楊氏系數大于緩沖材料的楊氏系數。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉出優選實施例，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A至圖1G為本發明的一些實施例的封裝結構的制作工藝剖面示意圖；

圖2為圖1G的封裝結構的上視示意圖；