[發明專利]DFB激光器溫控電路

在審

• 申請號: 201711431903.5
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN107894798A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 王艷;曹明潤;吳渝;于文彬;徐勇;汪升
• 申請（專利權）人: 合肥金星機電科技發展有限公司
• 主分類號: G05D23/24
• 分類號: G05D23/24
• 代理公司: 合肥誠興知識產權代理有限公司34109
• 代理人: 湯茂盛

1.一種DFB激光器溫控電路，其特征在于：包括與恒流源電路連接的電阻轉換電壓電路，電阻轉換電壓電路采集設定溫度電阻HR1、與DFB控制器連接的熱敏電阻NTC的電壓值，分別記為設定溫度電壓Vset、測量溫度電壓Vntc輸入至溫度測量求差電路；溫度測量求差電路，求出設定溫度電壓Vset與測量溫度電壓Vntc之間的差值電壓Vdec輸入至PI參數調節電路；PI參數調節電路，對差值電壓Vdec進行比例放大、積分運算，消除系統誤差，隨后輸出調節電壓Vctr；MOSFET驅動控制電路，接收調節電壓Vctr進行轉換輸出控制電流I至半導體制冷/制熱模塊TEC；半導體制冷/制熱模塊TEC對DFB激光器實施制冷或制熱。

2.根據權利要求1所述的DFB激光器溫控電路，其特征在于：所述的恒流源電路包括相互并聯的電容C28、電解電容EP3、基準電壓源D100，+12V電壓源依次與電阻R49、精密電阻LR11、電阻R46、可調電阻HR2、電阻R41、地線GND連接，基準電壓源D100的兩端分別與精密電阻LR11的輸入端、可調電阻HR2的輸出端連接；精密電阻LR11的輸入端與精密電阻LR10連接，精密電阻LR10的輸出端分別接入MOSFET管Q6、運算放大器U5-2的負極，同時精密電阻LR10的輸出端依次通過電容C21、電阻R44接入MOSFET管Q6，MOSFET管Q6的輸出端與電阻R43連接，精密電阻LR11的輸出端接入運算放大器U5-2的正極；精密電阻LR11的輸入端與精密電阻LR12連接，精密電阻LR12的輸出端分別接入MOSFET管Q5、運算放大器U5-1的負極，同時精密電阻LR12的輸出端依次通過電容C19、電阻R47接入MOSFET管Q5，MOSFET管Q5的輸出端與電阻R45連接，精密電阻LR11的輸出端接入運算放大器U5-1的正極；+12V電壓源依次與電容C18、地線GND連接，電容C18的輸入端與運算放大器U5-1連接，-12V電壓源依次與電容C20、地線GND連接，電容C20的輸入端與運算放大器U5-1連接。

3.根據權利要求1所述的DFB激光器溫控電路，其特征在于：所述的電阻轉換電壓電路包括設定溫度電阻HR1、熱敏電阻NTC，設定溫度電阻HR1的一端與地線GND連接，設定溫度電阻HR1的另一端與電阻R43的輸出端連接，同時接入運算放大器U8-1的正極，-12V電壓源依次與電容C27、地線GND連接，電容C27的輸入端與運算放大器U8-1連接，運算放大器U8-1的負極輸出設定溫度電壓Vset；熱敏電阻NTC的一端與地線GND連接，熱敏電阻NTC的另一端與電阻R45的輸出端連接，同時接入運算放大器U8-2的正極，+12V電壓源依次與電容C23、地線GND連接，電容C23的輸入端與運算放大器U8-2連接，運算放大器U8-2的負極輸出測量溫度電壓Vntc。

4.根據權利要求1所述的DFB激光器溫控電路，其特征在于：所述的溫度測量求差電路包括精密電阻LR9、LR7，設定溫度電壓Vset、測量溫度電壓Vntc分別輸入至精密電阻LR9、LR7，精密電阻LR9的輸出端同時接入精密電阻LR6、運算放大器U14-B的負極，精密電阻LR7的輸出端同時接入精密電阻LR8、運算放大器U14-B的正極，精密電阻LR8的輸出端與地線GND連接，精密電阻LR6的輸出端與運算放大器U14-B的輸出端連接輸出差值電壓Vdec。