[發(fā)明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711431438.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109962167B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊一行;程陸玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/02;C09K11/88;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子點(diǎn)，其中所述高分子材料包括至少一種阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10萬(wàn)；

所述量子點(diǎn)為核殼量子點(diǎn)；

所述薄膜為QLED器件中量子點(diǎn)發(fā)光層；

所述阻隔高分子材料的載流子遷移率在10^-8cm²V^-1s^-1以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)為油溶性量子點(diǎn)或水溶性量子點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)為油溶性量子點(diǎn)，所述油溶性量子點(diǎn)的表面配體為硫醇或羧酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自II-VI族量子點(diǎn)、III-V族量子點(diǎn)和IV-VI族量子點(diǎn)中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自II-VI族量子點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自含Te的II-VI族量子點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自含Cd和Te的II-VI族量子點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自以CdTe或CdTeS為核的核殼量子點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于20萬(wàn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于30萬(wàn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于50萬(wàn)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、7、8、9、10、11任一項(xiàng)所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料選自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的一種或多種。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜由量子點(diǎn)和一種阻隔高分子材料組成，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-90％。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在10-30萬(wàn)之間，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-30％。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在30-50萬(wàn)之間，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-66％。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在50-150萬(wàn)之間，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-90％。

17.根據(jù)權(quán)利要求14-16任一項(xiàng)所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-20％。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)占薄膜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-10％。

19.根據(jù)權(quán)利要求14-16任一項(xiàng)所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的載流子遷移率在10^-6cm²V^-1s^-1以上。