[發(fā)明專利]具有輔助電極的顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711431260.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN108257973B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔浩源;金惠淑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/15
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;馬曉虹

1.一種顯示裝置，包括：

具有第一開口的第一基部絕緣層；

輔助電極，包括：

沿第一方向延伸的第一部分，以及

沿與所述第一方向相交的第二方向延伸的第二部分，所述第二部分在所述第一基部絕緣層中的第一開口的側(cè)表面上；

在所述第一基部絕緣層上的下絕緣層，所述下絕緣層具有與所述第一開口交疊的下貫穿孔；

在所述下絕緣層上的第一上絕緣層，所述第一上絕緣層包括沿所述第一方向延伸的突起區(qū)域；以及

包括上電極的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述上電極的至少一部分接觸所述輔助電極的第二部分，

其中，所述第一上絕緣層的突起區(qū)域設(shè)置在所述輔助電極的第二部分的上方并且在所述輔助電極的第一部分的一部分的上方，以使得底切區(qū)域設(shè)置在所述輔助電極的第一部分的一部分與所述第一上絕緣層的突起區(qū)域之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極包括在所述第一方向上延伸且設(shè)置在所述下絕緣層與所述第一基部絕緣層之間的第三部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極包括在所述第一基部絕緣層中的所述第一開口的另一側(cè)表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括與所述輔助電極的第三部分接觸的發(fā)光層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述第二方向上、在所述輔助電極的第一部分與所述第一上絕緣層之間的垂直距離大于所述第一基部絕緣層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括：

緩沖層；以及

所述緩沖層上的薄膜晶體管TFT，所述TFT電連接至所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一基部絕緣層與所述緩沖層處于同一層中，并且其中，所述輔助電極的第一部分接觸在其上形成有所述緩沖層的基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，還包括：

所述第一基部絕緣層與所述下絕緣層之間的第二基部絕緣層，所述第二基部絕緣層具有第二開口，

其中，所述輔助電極包括在所述第二基部絕緣層中的所述第二開口的側(cè)表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述上電極接觸所述輔助電極的第三部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述TFT包括漏電極、半導(dǎo)體層以及在所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的層間絕緣層，并且所述第二基部絕緣層與所述TFT的層間絕緣層處于同一層中。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述TFT包括柵極絕緣層，并且所述第二基部絕緣層與所述TFT的柵極絕緣層處于同一層中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括：

緩沖層；以及

所述緩沖層上的薄膜晶體管TFT，所述TFT電連接至所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一基部絕緣層在所述緩沖層上，并且其中，所述輔助電極的第一部分接觸所述緩沖層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，所述TFT包括漏電極、半導(dǎo)體層以及在所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的層間絕緣層，并且所述第一基部絕緣層與所述TFT的層間絕緣層處于同一層中。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，所述TFT包括柵極絕緣層，并且所述第一基部絕緣層與所述柵極絕緣層處于同一層中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，還包括：

所述第一基部絕緣層上的第二基部絕緣層，所述第二基部絕緣層具有第二開口，

其中，所述輔助電極包括在所述第二基部絕緣層中的所述第二開口的側(cè)表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。