[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、柔性O(shè)LED顯示器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711429925.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN108074864A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鵬振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供柔性襯底，在所述柔性襯底上沉積金屬鋁膜；

采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述金屬鋁膜上沉積緩沖層；

在所述緩沖層之上沉積非晶硅薄膜；

對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行晶化處理，使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變成低溫多晶硅薄膜；

對(duì)所述低溫多晶硅薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成一定形狀的低溫多晶硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鋁膜的厚度為0.05-1μm。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鋁膜是采用物理氣相沉積的方式形成；所述金屬鋁膜的沉積溫度為100-350℃。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一種；所述緩沖層的厚度為0.05-1μm。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行晶化處理之前還包括：對(duì)所述非晶硅薄膜依次進(jìn)行去氫處理和氫氟酸清洗。

6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述晶化處理的方式包括準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化法或固相晶化法。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括柔性襯底，以及依次設(shè)置在所述柔性襯底上的金屬鋁膜、緩沖層和低溫多晶硅層。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬鋁膜的厚度為0.05-1μm；所述緩沖層的厚度為0.05-1μm。

9.一種柔性O(shè)LED顯示器件，其特征在于，包括柔性襯底，以及依次設(shè)置在所述柔性襯底上的金屬鋁膜、緩沖層和低溫多晶硅層；

在所述低溫多晶硅層上還設(shè)置有TFT陣列層；

在所述TFT陣列層之上設(shè)置有OLED元件層。

10.如權(quán)利要求9所述的柔性O(shè)LED顯示器件，其特征在于，所述TFT陣列層包括依次設(shè)置在所述低溫多晶硅層上的柵極絕緣層、柵極層、層間介電層、源極、漏極和平坦層；

所述OLED元件層包括陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極；所述陽極位于所述TFT陣列層中的平坦層之上。