[發明專利]非易失性存儲器器件及其編程方法

有效

• 申請號: 201711429791.X
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108364667B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 曹溶成;樸一漢;尹廷允;洪允鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C8/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種非易失性存儲器器件的編程方法，所述方法包括以下步驟：

第一編程循環，包括施加第一驗證電壓到多個第一存儲器單元的字線，所述多個第一存儲器單元在第一目標閾值電壓的第一編程狀態中被編程，并且基于來自所述多個第一存儲器單元中的閾值電壓檢測第一快速存儲器單元和第一慢速存儲器單元；

第二編程循環，包括將第一編程脈沖施加到所述第一快速存儲器單元和所述第一慢速存儲器單元，并將第二編程脈沖施加到所述第一慢速存儲器單元和多個第二存儲器單元，所述第二編程循環的第二編程脈沖的電壓電平大于所述第二編程循環的第一編程脈沖的電壓電平；以及

第三編程循環，以及

其中所述多個第二存儲器單元具有大于所述第一目標閾值電壓的目標閾值電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三編程循環包括將第一編程脈沖施加到所述第一存儲器單元，并將第二編程脈沖施加到所述第一慢速存儲器單元，

所述第三編程循環的第一編程脈沖的電壓電平大于所述第二編程循環的第一編程脈沖的電壓電平，

所述第三編程循環的第二編程脈沖的電壓電平大于所述第三編程循環的第一編程脈沖的電壓電平，以及

所述第三編程循環的第二編程脈沖的電壓電平大于所述第二編程循環的第二編程脈沖的電壓電平。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第三編程循環的第一編程脈沖的電壓電平與所述第二編程循環的第一編程脈沖的電壓電平之間的差大于所述第三編程循環的第二編程脈沖的電壓電平與所述第二編程循環的第二編程脈沖的電壓電平之間的差。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二編程循環還包括將大于所述第一驗證電壓的第二驗證電壓施加到多個第二存儲器單元的字線，所述多個第二存儲器單元用于在大于所述第一目標閾值電壓的第二目標閾值電壓的第二編程狀態中被編程，并且

從所述多個第二存儲器單元中檢測具有小于所述第二驗證電壓的閾值電壓的第二慢速存儲器單元。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

將第三編程脈沖施加到第三編程循環中的所述第二慢速存儲器單元，作為所述第三編程循環的更大一個編程脈沖的第三編程脈沖的電壓電平大于所述第三編程循環的第二編程脈沖的電壓電平。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一編程循環還包括向具有小于所述第一目標閾值電壓的第三目標閾值電壓的多個存儲器單元施加所述第一編程脈沖。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一驗證電壓是具有小于所述第一目標閾值電壓的第三目標閾值電壓的編程狀態中的驗證電壓。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一編程循環還包括在施加所述第一驗證電壓之前施加單個編程脈沖。

9.根據權利要求1所述的方法，其中多個第二存儲器單元的所述第一目標閾值電壓和第二目標閾值電壓是所述非易失性存儲器器件的多個存儲器單元的編程狀態的多個目標閾值電壓中的最大目標閾值電壓。

10.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第二編程循環中，在施加所述第二編程脈沖之后進行所述第一編程脈沖的施加。