[發明專利]鍺單晶的生長方法在審
| 申請號： | 201711429251.1 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108277531A | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 狄聚青;朱劉;尹士平;胡智向;劉運連 | 申請（專利權）人： | 廣東先導先進材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/08 | 分類號： | C30B29/08;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 511517 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拉速 生長 控制晶體 鍺單晶 等徑生長 降溫過程 放肩 引晶 收尾 結晶性能 手動控制 原料熔化 真空氛圍 逐步增加 成品率 抽真空 多晶 熔體 溫場 籽晶 制備 | ||
1.一種鍺單晶的生長方法，該生長方法首先將原料熔化為熔體，然后抽真空，在真空氛圍下利用籽晶在一定的溫場梯度下經過引晶過程、放肩過程、等徑生長過程、收尾過程、降溫過程形成鍺單晶；其特征在于：
引晶過程中，控制晶體拉速為5-10mm/h；控制晶體生長速度為10-30g/h，晶體直徑為20-30mm；
放肩過程中，維持拉速在0.1-0.3mm/h，控制晶體生長速度由10-30g/h逐步增加到500g/h；
等徑生長過程中，維持拉速在0.1-0.3mm/h，控制晶體生長速度為500-2000g/h；
收尾過程中，手動控制拉速，拉速在10-100mm/h；
降溫過程中，拉速為0，降溫速率為20-50℃/h。
2.根據權利要求1 所述的生長方法，其特征在于：晶體總重量為原料總重的0.5~1.5%即進入引晶過程。
3.根據權利要求1 所述的生長方法，其特征在于：還剩1.5-2.5%的原料時即進入收尾過程。
4.根據權利要求1 所述的生長方法，其特征在于：所述溫場梯度為2~5℃/cm。
5.根據權利要求1 所述的生長方法，其特征在于：放肩過程將形成晶體肩部，籽晶與晶體肩部的夾角為60~90°。
6.根據權利要求1 所述的生長方法，其特征在于：引晶過程、放肩過程、等徑生長過程、收尾過程、降溫過程均在真空氣氛下進行，真空氣氛氣壓值不超過0.001Pa。
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