[發(fā)明專利]一種SiC MOSFET串聯(lián)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711429211.7
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108092493B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倪喜軍;李先允;韓煥菊
• 申請（專利權(quán)）人: 南京工程學(xué)院
• 主分類號: H02M1/092
• 分類號: H02M1/092
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種SiC MOSFET串聯(lián)電路，其特征在于：包括N個MOSFET管和N個MOSFET管驅(qū)動電路；

N個MOSFET管依次串聯(lián)構(gòu)成MOSFET串，第i個MOSFET管的漏極與第i+1個MOSFET管的源極連接，i為整數(shù)，1≤i≤N-1，第1個MOSFET管的源極為MOSFET串的源極，第1個MOSFET管的柵極為MOSFET串的柵極，第N個MOSFET管的漏極為MOSFET串的漏極；

第1個MOSFET管驅(qū)動電路向第1個MOSFET管的柵極輸入驅(qū)動脈沖P_GM，其余N-1個MOSFET管驅(qū)動電路依次串聯(lián)，第2個MOSFET管驅(qū)動電路的輸入端與第1個MOSFET管的源極連接，第j個MOSFET管驅(qū)動電路的輸出端還與第j個MOSFET管的柵極連接，2≤j≤N；

第2個至第N個MOSFET管驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)一致，包括驅(qū)動電源、二極管、靜態(tài)均壓電阻和電阻電容串聯(lián)回路，驅(qū)動電源的正極與二極管的陽極連接，驅(qū)動電源的負極、靜態(tài)均壓電阻的一端以及電阻電容串聯(lián)回路的一端連接成第一節(jié)點，第一節(jié)點為MOSFET管驅(qū)動電路的輸入端；二極管的陰極、靜態(tài)均壓電阻的另一端以及電阻電容串聯(lián)回路的另一端連接成第二節(jié)點，第二節(jié)點為MOSFET管驅(qū)動電路的輸出端；

外部電源連接第1個隔離DC-DC，第1個隔離DC-DC的輸出即為第1個驅(qū)動電路的驅(qū)動電源，第i個驅(qū)動電路的驅(qū)動電源連接第i+1個隔離DC-DC，第i+1個隔離DC-DC的輸出即為第i+1個驅(qū)動電路的驅(qū)動電源；

第N個MOSFET管驅(qū)動電路的輸出端與第N個MOSFET管的漏極之間設(shè)置有電阻電容串聯(lián)回路，電阻電容串聯(lián)回路兩端還并接有靜態(tài)均壓電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC MOSFET串聯(lián)電路，其特征在于：還包括N個驅(qū)動電阻，驅(qū)動電阻的兩端分別與MOSFET管驅(qū)動電路的輸出端以及該MOSFET管驅(qū)動電路驅(qū)動的MOSFET柵極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC MOSFET串聯(lián)電路，其特征在于：第1個MOSFET管驅(qū)動電路為圖騰柱電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的一種SiC MOSFET串聯(lián)電路，其特征在于：N＝6。