[發明專利]一種多通道集成濾光片的光隔離結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201711426682.2 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN107907935A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 周東平 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區婁*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通道 集成 濾光 隔離 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種多通道集成濾光片的光隔離結構，其特征在于，包括設置在基片表面上的黑鉻金屬膜層，以阻止光線通過，所述黑鉻金屬膜層分布于多通道集成濾光片通道間的空白區域；
還包括消光層，所述消光層由第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層組成，所述第一氧化鉻膜層設置在所述黑鉻金屬膜層上，所述第一二氧化硅膜層設置在所述第一氧化鉻膜層上，所述第二氧化鉻膜層設置在所述第一二氧化硅膜層上，所述第二二氧化硅膜層設置在所述第二氧化鉻膜層上。
2.根據權利要求1所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構，其特征在于，所述黑鉻金屬膜層的厚度為200-500納米，所述第一氧化鉻膜層的厚度為45-50納米，所述第一二氧化硅膜層的厚度為200-220納米，所述第二氧化鉻膜層的厚度為120-140納米，所述第二二氧化硅膜層的厚度為85-95納米。
3.一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、使用機械掩膜夾具夾持基片，以使基片上僅有需設置光隔離結構的表面露出；
S2、將機械掩膜夾具和基片一起放入鍍膜工件載盤，再裝入真空鍍膜系統；
S3、在基片露出表面上鍍制黑鉻金屬膜層；
S4、在黑鉻金屬膜層上鍍制第一氧化鉻膜層；
S5、在第一氧化鉻膜層上鍍制第一二氧化硅膜層；
S6、在第一二氧化硅膜層上鍍制第二氧化鉻膜層；
S7、在第二氧化鉻膜層上鍍制第二二氧化硅膜層即得光隔離結構。
4.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，所述基片選自玻璃、石英、藍寶石、硫化鋅、硒化鋅光學材料中的一種。
5.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，所述黑鉻金屬膜層的厚度為200-500納米，所述第一氧化鉻膜層的厚度為45-50納米，所述第一二氧化硅膜層的厚度為200-220納米，所述第二氧化鉻膜層的厚度為120-140納米，所述第二二氧化硅膜層的厚度為85-95納米。
6.根據權利要求5所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一氧化鉻膜層的厚度為50納米，所述第一二氧化硅膜層的厚度為200納米，所述第二氧化鉻膜層的厚度為130納米，所述第二二氧化硅膜層的厚度為90納米。
7.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，步驟S3至步驟S7中采用精度為1納米的石英晶體振蕩膜層厚度控制儀控制黑鉻金屬膜層、第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層的厚度。
8.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，步驟S4至步驟S7中采用氧氣離子輔助鍍膜工藝輔助鍍制第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層。
9.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，步驟S3的實施溫度為室溫至100攝氏度，步驟S4-S7的實施溫度為150攝氏度至300攝氏度。
10.根據權利要求3所述的一種多通道集成濾光片的光隔離結構的制造方法，其特征在于，步驟S3的實施真空壓強不大于1x10-3Pa，步驟S4-S7的實施真空壓強不大于3x10-2Pa。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司，未經蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711426682.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
