[發明專利]一種平行排列的SiO2 有效
| 申請號： | 201711426036.6 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108147418B | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發明（設計）人： | 楊喜寶;呂航;王莉麗;李波欣;陳雙龍;董恩來;趙景龍;劉秋穎;姚震 | 申請（專利權）人： | 渤海大學 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 121013 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平行 排列 sio base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種平行排列的SiO2納米線制備方法，其特征在于：制備出的納米線分布均勻，納米線之間成平行結構排列，且不含催化劑：
該方法步驟如下：
第一步：將基底Si片預處理，用丙酮超聲，再用等離子水清洗，用酒精清洗石英舟；
第二步：使用SiO納米粉作為反應源放入石英舟一端，然后將處理好的基底Si片拋光面向下放置于石英舟內，保證其逐一間隔排列在反應源上方且不與反應源接觸，再將裝有基底和反應源的石英舟放入通有Ar保護氣體的高溫管式爐中，氬氣流量為80-90mL/min；
第三步：將爐內溫度升至反應源需要發生反應的適應溫度，保溫2-3hrs，反應結束后將待爐內溫度降至低溫取出后發現基底基片上生長了白色絮狀物即為所述的平行排列的SiO2納米線，其中，反應源的反應溫度范圍在1140-1160℃，生成白色絮狀物的沉積溫度范圍在1120-1150℃。
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