[發明專利]劃片槽及圖像傳感器晶圓

有效

• 申請號: 201711423363.6
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108133928B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 饒金華;肖海波;劉遠良
• 申請（專利權）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明涉及劃片槽及圖像傳感器晶圓。其中劃片槽包括激光掃描區域，所述激光掃描區域包括光斑中心區域和位于所述光斑中心區域的兩側并與所述光斑中心區域連接的光斑邊緣區域，所述光斑中心區域和所述光斑邊緣區域均沿所述劃片槽的長度方向延伸，其中，所述劃片槽上覆蓋有偽金屬層，所述偽金屬層具有沿所述劃片槽的長度方向延伸的開口，所述開口設置于所述光斑邊緣區域。在利用激光劃片工藝對劃片槽進行切割時，可以減少或避免光斑邊緣區域的偽金屬層被激光熔化后產生金屬顆粒。進一步的，在光斑中心區域和劃片槽邊緣區域均覆蓋有偽金屬層，從而對半導體芯片工藝穩定性的影響較小。本發明另外還提供了包括上述劃片槽的圖像傳感器晶圓。

技術領域

本發明涉及半導體IC技術領域，尤其涉及劃片槽及圖像傳感器晶圓。

背景技術

在一個硅晶圓上，通常有幾百個至數千個芯片連在一起，芯片與芯片之間留有80μm至150μm(微米)的間隙，該間隙是為將一個硅晶圓劃片成單獨的芯片所留下的空隙，稱為劃片槽(scribe line)。并且，為了與芯片中關鍵器件進行匹配，體現電路的邏輯或功能，并且讓芯片元器件的周圍環境一致，在劃片道區域，覆蓋有偽金屬層(dummy metal)。

當采用激光劃片技術就劃片槽區域進行切割時，切割時激光會使劃片槽中的偽金屬層熔化，在激光光斑邊緣區域(laser spot edge)處產生的金屬顆粒(particle)會落在與劃片槽相鄰的芯片上可能會對后續的封裝工藝以及芯片功能造成不好的影響。尤其是，當利用激光劃片技術對半導體圖像傳感器進行切割時，上述在激光光斑邊緣區域產生的金屬顆粒容易落在芯片的感光區域而導致阻擋入射光，進而會影響圖像傳感器芯片的圖像品質。

發明內容

本發明要解決的技術問題是現有應用于圖像傳感器晶圓的劃片槽在激光劃片工藝時在激光光斑邊界處產生的金屬顆粒會影響圖像傳感器芯片的感光性能。

為解決上述技術問題，本發明提供一種劃片槽，包括：

激光掃描區域，所述激光掃描區域包括光斑中心區域和與所述光斑中心區域連接的光斑邊緣區域，所述光斑邊緣區域位于所述光斑中心區域的兩側，所述光斑中心區域和所述光斑邊緣區域均沿所述劃片槽的長度方向延伸，其中，所述劃片槽上覆蓋有偽金屬層，所述偽金屬層具有沿所述劃片槽的長度方向延伸的開口，所述開口設置于所述光斑邊緣區域。

可選的，所述劃片槽還包括：

劃片槽邊緣區域，所述劃片槽邊緣區域與所述光斑邊緣區域遠離所述光斑中心區域的一側連接。

可選的，所述劃片槽邊緣區域位于所述激光掃描區域的兩側。

可選的，所述開口沿所述光斑邊緣區域的長度方向的中心線對稱分布。所述開口的寬度大于或等于所述光斑邊緣區域的寬度。

可選的，所述偽金屬層包括銅或者鋁。

可選的，所述激光掃描區域的寬度為55～80μm。所述開口的寬度為 5～10μm。

另外，本發明還提供一種具有上述劃片槽的圖像傳感器晶圓。

可選的，所述圖像傳感器晶圓包括互相貼合的傳感器晶圓和邏輯晶圓，所述傳感器晶圓和/或邏輯晶圓遠離貼合面的端面上具有上述劃片槽。

本發明提供的劃片槽，所述劃片槽上覆蓋有偽金屬層，所述偽金屬層具有沿所述劃片槽的長度方向延伸的開口，所述開口設置于所述光斑邊緣區域。在利用激光劃片工藝對劃片槽進行切割時，可以減少或避免光斑邊緣區域的偽金屬層被激光熔化后產生金屬顆粒的可能性。進一步的，在光斑中心區域和劃片槽邊緣區域仍然覆蓋有偽金屬層，負載效應較小，從而對半導體芯片工藝穩定性的影響較小。

本發明提供的圖像傳感器晶圓，具有上述劃片槽，利用激光劃片工藝對上述劃片槽進行切割之后，光斑邊緣區域產生金屬顆粒的可能性較小，從而可以減少或避免對圖像傳感器芯片的圖像性能造成影響。