[發明專利]徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 201711423110.9 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108051885A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 張彥峰;邵增凱;朱江波;陳鈺杰;余思遠 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | G02B6/00 | 分類號： | G02B6/00;G02B5/18;G02B27/28;H04B10/50 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 林麗明 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 徑向 偏振 可調 矢量 oam 發射 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：包括片上集成的微環波導和耦合直波導，及開設在微環波導上的由淺刻蝕形成的角向光柵陣列。
2.根據權利要求1所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述微環波導和耦合直波導均為氮化硅材料制成。
3.根據權利要求2所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述微環波導和耦合直波導的折射率為2.0。
4.根據權利要求2所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述微環波導、耦合直波導的設置高度為0.58微米，微環波導的環寬為1.2微米，耦合直波導的寬度為1.2微米。
5.根據權利要求4所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述微環波導的半徑為60微米，與耦合直波導結構的耦合間隔為200納米。
6.根據權利要求1~5任一項所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述角向光柵陣列包括多個在圓周方向上均勻分布的，開設在微環波導頂面上的角向光柵。
7.根據權利要求6所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述角向光柵的刻蝕深度為100納米，整體形狀呈倒錐狀，其頂部的開設直徑為160納米。
8.根據權利要求6所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述角向光柵的中心位置位于微環波導環寬的中線向微環波導內側偏離60納米。
9.根據權利要求6所述的徑向和角向偏振可調的柱矢量OAM發射芯片，其特征在于：所述角向光柵陣列包含的角向光柵的數量為420個。
10.一種權利要求1~9任一項所述的柱矢量OAM發射芯片的制備方法，其特征在于：包括有以下步驟：
S1.在襯底上生長氧化硅層，然后通過化學氣相方法在氧化硅層上沉積氮化硅層，并旋涂負性光刻膠；
S2.旋涂光刻膠后進行電子束曝光，對微環波導進行合適的過曝光即提高曝光劑量，微環波導上部角向光柵陣列所在的對應位置出現過曝光，而耦合直波導則正常曝光；顯影后，由于過曝光，角向光柵陣列處的殘留光刻膠形成光滑倒錐型結構；
S3.經過等離子體刻蝕工藝后完全刻蝕出微環波導和耦合直波導結構;由于角向光柵陣列處殘留光刻膠的阻擋作用，在微環波導上淺刻蝕形成角向光柵陣列；
S4.利用 O2等離子體去除器件上的光刻膠。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山大學，未經中山大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711423110.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種白瓜酵素及其制備方法
- 下一篇：開關變換器開關節點取電電路
