[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711422148.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN108336017B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安臺(tái)恒;金五顯;白承范
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成包括圖案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

在圖案中形成具有第一摻雜物濃度的外延層；

在外延層之上原位形成具有比第一摻雜物濃度高的第二摻雜物濃度的界面層；

在界面層之上形成金屬硅化物層；以及

在金屬硅化物層之上形成金屬插塞，

其中，外延層和界面層包括相同的摻雜物，

其中，形成包括圖案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在半導(dǎo)體襯底中掩埋字線；

在字線兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極/漏極區(qū)；

在半導(dǎo)體襯底之上形成多個(gè)位線結(jié)構(gòu)；以及

形成暴露出所述多個(gè)位線結(jié)構(gòu)之間的源極/漏極區(qū)的接觸孔，

其中，外延層、界面層、金屬硅化物層以及金屬插塞成為填充接觸孔的接觸結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，經(jīng)由選擇性外延生長(zhǎng)SEG工藝形成外延層，以及在執(zhí)行選擇性外延生長(zhǎng)工藝之后，執(zhí)行原位氣相摻雜工藝以形成界面層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，選擇性外延生長(zhǎng)工藝包括原位供應(yīng)硅源氣體和N型摻雜物氣體，以及

原位氣相摻雜工藝包括供應(yīng)含磷的摻雜物氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，經(jīng)由原位氣相摻雜工藝形成的界面層的磷濃度的范圍為1.0×10¹⁹個(gè)原子/cm³至1.0×10²²個(gè)原子/cm³。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在范圍為350℃至1000℃的溫度下執(zhí)行原位氣相摻雜工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，外延層和界面層包括SiP，以及界面層的磷濃度比外延層的磷濃度高。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，外延層包括摻雜有N型摻雜物的SEG Si，摻雜有N型摻雜物的SEG SiGe，或者摻雜有N型摻雜物的SEG SiC，以及

界面層包括摻雜有磷的SEG Si，摻雜有磷的SEG SiGe，或者摻雜有磷的SEG SiC，以及

界面層的磷濃度比外延層的N型摻雜物濃度高。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，經(jīng)由第一選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成外延層，以及在執(zhí)行第一選擇性外延生長(zhǎng)工藝之后經(jīng)由第二選擇性外延生長(zhǎng)工藝原位形成界面層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，界面層被形成得比外延層薄。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一選擇性外延生長(zhǎng)工藝包括原位供應(yīng)硅源氣體和N型摻雜物氣體，以及

第二選擇性外延生長(zhǎng)工藝包括原位供應(yīng)硅源氣體和含磷的摻雜物氣體。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，經(jīng)由第二選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成的界面層的磷濃度的范圍為1.0×10¹⁹個(gè)原子/cm³至1.0×10²²個(gè)原子/cm³。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，外延層包括第一SEG SiP，以及界面層包括具有比第一SEG SiP的磷濃度高的磷濃度的第二SEG SiP。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成金屬插塞之后，在金屬插塞之上形成存儲(chǔ)器元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，圖案具有大于1：1的寬高比。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，金屬硅化物層包括硅化鈷、硅化鈦或硅化鎳。