[發明專利]一種光葉蕨孢子體繁殖的培養方法在審
| 申請號： | 201711421443.8 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108094206A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 胡進耀;別鵬飛;向莉;余凌帆;王虹;馬月琴 | 申請（專利權）人： | 綿陽師范學院 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 夏艷 |
| 地址： | 621000 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 繁殖 孢子體 成活率 赤霉素 洗衣粉浸泡 增殖培養基 壯苗培養基 初代培養 升汞處理 增殖效率 壯苗效果 組分配比 培養基 最大化 乙醇 繼代 莖段 煉苗 接種 消毒 生長 傷害 保證 | ||
1.一種光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述光葉蕨孢子體繁殖的培養方法包括以下步驟：
步驟一，采集光葉蕨地下莖；
步驟二，將光葉蕨地下莖置于濃度為3～5g/mL的洗衣粉溶液中浸泡1～3min，切割修整，剩0.3～0.5cm的芽端，用75％乙醇浸泡10～30s，再用0.01％升汞溶液浸泡1～3min；
步驟三，向1/2MS培養基中加入NAA、6-BA，蔗糖濃度為20g/L，調節培養基pH值為5.8～6.0；120～125℃滅菌20～25min，冷卻至室溫，備用；將消毒后的芽接種至培養基中，24±1℃、2000～2100lx條件下，光照8～10h/d；NAA加入量為0～0.1mg/L、6-BA加入量為0.05～0.15mg/L；
步驟四，所得產物接種至含有NAA、6-BA的1/2MS培養基中，24±1℃、2000～2100lx條件下，光照8～10h/d，增殖培養，得到光葉蕨苗；其中，1/2MS培養基中NAA加入量為0.5～1.5mg/L、6-BA加入量為0.5～1.5mg/L、GA
步驟五，用含有NAA、6-BA、GA
步驟六，選取生長狀態良好的光葉蕨苗，采用含有NAA的1/2MS培養基，于24±1℃、2000～2100lx條件下，光照8～10h/d，培養至生根；NAA的加入量為0～0.5mg/L；
步驟七，在生根培養40d后，對光葉蕨苗進行閉罐煉苗15～20d，遮陰度為50％，再開罐煉苗3～7d；將光葉蕨苗移出，消毒滅菌，移栽至經消毒處理的基質中，澆足定根水，每5d噴施一次營養液；其中，基質為草炭、珍珠巖和蛭石的混合物，草炭、珍珠巖和蛭石重量比為1～2:0.5～1:0.5～1。
2.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟三1/2MS培養基中NAA加入量為0.05mg/L、6-BA加入量為0.1mg/L。
3.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟四1/2MS培養基中NAA加入量為1.0mg/L、6-BA加入量為1.0mg/L、GA
4.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟五用于壯苗培育的1/2MS培養基中NAA加入量為1.0mg/L、6-BA加入量為0.5mg/L、GA
5.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟六用于生根培育的1/2MS培養基中NAA的加入量為0.1mg/L。
6.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟七基質中草炭、珍珠巖和蛭石的體積比為2:1:1。
7.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟七基質的消毒過程如下：將基質置于0.1MPa的滅菌鍋中，保持20～30min；或者采用5％的福爾馬林或0.3％的硫酸銅溶液淋透基質，塑料布覆蓋7d。
8.如權利要求1所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法，其特征在于，所述步驟七光葉蕨苗的消毒過程如下：采用500倍多靈菌溶液清洗光葉蕨苗2～3次。
9.一種利用如權利要求1～8任意一項所述的光葉蕨孢子體繁殖的培養方法培養的光葉蕨。
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