[發(fā)明專利]銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711421161.8 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108123001A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶曼 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/0749;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艷 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靶材 濺射 吸收層 銅銦鎵硒太陽能電池 基板 磁控濺射工藝 時間段 銦靶 制備 預(yù)設(shè)溫度條件 硒化氫氣體 惰性氣體 功率提升 生產(chǎn)效率 腔室 預(yù)設(shè) 成型 | ||
1.一種銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
向腔室中同時通入硒化氫氣體和惰性氣體，在第一功率下和第一時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向室溫下的基板濺射銅鎵靶材和銦靶材；
提高所述基板的溫度至預(yù)設(shè)溫度，在第二時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材；
將所述第一功率提升至第二功率，在所述預(yù)設(shè)溫度條件下以及在第三時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材，以形成銅銦鎵硒吸收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述將所述第一功率提升至第二功率，在所述預(yù)設(shè)溫度條件下以及在第三時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材，以形成銅銦鎵硒吸收層之后，所述方法還包括：
對所述銅銦鎵硒吸收層進(jìn)行保溫退火處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述向腔室中同時通入硒化氫氣體和惰性氣體，在第一功率下和第一時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向室溫下的基板濺射銅鎵靶材和銦靶材之前，所述方法還包括：
遮擋所述基板的全部位置；
向所述腔室中通入所述惰性氣體，在所述第一功率下和第四時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向遮擋后的所述基板持續(xù)濺射銅鎵靶材和銦靶材。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述向腔室中同時通入硒化氫氣體和惰性氣體，在第一功率下和第一時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向室溫下的基板濺射銅鎵靶材和銦靶材具體包括：
向腔室中同時通入硒化氫氣體和惰性氣體，在濺射功率為70W的條件下通過磁控濺射工藝向室溫下的基板持續(xù)濺射銅鎵靶材和銦靶材5min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述提高所述基板的溫度至預(yù)設(shè)溫度，在第二時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材具體包括：
提高所述基板的溫度至500～550度，通過磁控濺射工藝向所述基板持續(xù)濺射銅鎵靶材和銦靶材15min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述將所述第一功率提升至第二功率，在所述預(yù)設(shè)溫度條件下以及在第三時間段內(nèi)通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材具體包括：
將濺射功率由70W提升至80W，在溫度為500～550度的條件下通過磁控濺射工藝向所述基板濺射銅鎵靶材和銦靶材25min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述硒化氫氣體與所述氬氣的氣體流量比例范圍為0.1～10。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述銅鎵靶材和所述銦靶材之間形成的濺射角度為140°～145°。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，向所述腔室中同時通入硫化氫氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
