[發明專利]一種基于分數階憶阻器的混沌電路

在審

• 申請號: 201711421037.1
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN107947914A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 楊寧寧;吳朝俊;徐誠;賈嶸
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H04L9/00
• 分類號: H04L9/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所61214
• 代理人: 李娜

1.一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，包括依次連接且形成閉合回路的分數階電容分數階電容分數階電感L^q，所述分數階電容兩端并聯有分數階憶阻器M^q，所述分數階電容兩端并聯負阻G。

2.如權利要求1所述一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，所述分數階憶阻器M^q是由一個二極管橋式電路并聯一階RC濾波器構成，所述一階RC濾波器中電容C為分數階電容

3.如權利要求2所述一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，所述分數階電容分數階電容分數階電容均包括電阻R_in串聯多個電容C_n，n表示串聯電容的第n個，每個所述電容C_n兩端均并聯一個電阻R_n。

4.如權利要求2所述一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，所述二極管橋式電路包括正負端串聯的二極管VD₁、二極管VD₂，所述二極管VD₁、二極管VD₂串聯電阻R形成閉合回路，所述二極管VD₁、二極管VD₂的兩端并聯有正負端串聯的二極管VD₃、二極管VD₄，所述二極管VD₁、二極管VD₂的兩端并聯分數階電容

5.如權利要求1所述一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，所述分數階電感L^q包括電阻R_im，所述電阻R_im并聯多個RL等效電路，每個所述RL等效電路均包括一個相互串聯的電阻R_m、電感L_m，m表示并聯RL等效電路的第m個。

6.如權利要求1所述一種基于分數階憶阻器的混沌電路，其特征在于，所述負阻G包括運算放大器，所述運算放大器正端和輸出端之間由電阻R_a1連接，所述運算放大器負端和輸出端之間由電阻R_a2連接，所述運算放大器的負端連接一電阻R_b。