[發明專利]氣相沉積爐及生產氧化亞硅的方法

在審

• 申請號: 201711420170.5
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN109956478A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 朱文博;銀波;范協誠;王文;夏高強;薛明華
• 申請（專利權）人: 新特能源股份有限公司
• 主分類號: C01B33/113
• 分類號: C01B33/113;F27D7/06;F27D9/00;F27D11/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

1.一種氣相沉積爐，包括爐體，其特征在于，還包括爐體內設置的：

加熱腔室，用于加熱原料反應生成產物并使得產物變為氣體；

沉積腔室，與加熱腔室密封連接，且與加熱腔室連通，沉積腔室內設置有用于沉積產物的沉積機構，沉積機構為可轉動的葉輪機構，沉積機構轉動可將沉積于其上的沉積產物甩出，沉積腔室開設有沉積腔室開口，通過沉積腔室開口調節沉積腔室內的氣氛；

接收機構，用于接收從沉積機構上甩出的沉積產物。

2.根據權利要求1所述的氣相沉積爐，其特征在于，還包括：

冷卻機構，冷卻機構位于沉積機構的沉積面的背面，冷卻機構與沉積機構固定連接，冷卻機構具有中空的冷卻機構腔體，冷卻機構腔體用于通入冷源對與冷卻機構接觸的沉積機構進行冷卻。

3.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，沉積機構為開式葉輪、半開式葉輪中的一種。

4.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，沉積機構包括輪盤、設置于輪盤中心的輪轂和設置于輪盤一側的徑向葉片，徑向葉片的一端與輪轂的外圍相切。

5.根據權利要求4所述的氣相沉積爐，其特征在于，徑向葉片與輪盤的直徑的夾角為20°～40°。

6.根據權利要求2所述的氣相沉積爐，其特征在于，還包括驅動機構，驅動機構通過轉軸與沉積機構連接，且驅動機構通過轉軸與冷卻機構連接，驅動機構用于驅動沉積機構轉動，轉軸內設置有冷源通道，冷源通道與冷卻機構腔體連通，冷源通過冷源通道進入到冷卻機構腔體內對沉積機構進行冷卻。

7.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，沉積腔室設置于加熱腔室上方，沉積腔室與加熱腔室通過連通通道連通。

8.根據權利要求7所述的氣相沉積爐，其特征在于，接收機構為接收盤，連通通道穿過接收盤的底部。

9.根據權利要求7所述的氣相沉積爐，其特征在于，連通通道包括：朝向沉積腔室的第一開口、朝向加熱腔室的第二開口，第一開口的開口面積小于第二開口的開口面積。

10.根據權利要求9所述的氣相沉積爐，其特征在于，第一開口的中心對應沉積機構的中央。

11.根據權利要求7所述的氣相沉積爐，其特征在于，接收機構的開口的正投影視圖至少與沉積機構的正投影視圖與沉積腔室的橫向切面重疊之外的區域有交集。

12.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，加熱腔室設置有加熱腔室入口，用于向加熱腔室內通入非氧化性氣體。

13.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，接收機構為夾層結構，夾層結構內的空隙用于通入冷源冷卻接收機構。

14.根據權利要求1或2所述的氣相沉積爐，其特征在于，沉積機構包括葉輪，葉輪為夾層結構，夾層結構內的空隙用于通入冷源冷卻葉輪。

15.一種使用權利要求1～14任意一項所述的氣相沉積爐生產氧化亞硅的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將含硅和/或碳的材料、與含二氧化硅的材料放入到加熱腔室中，通過沉積腔室開口抽真空；

(2)通過加熱腔室加熱原料，反應生成氧化亞硅并升華，氧化亞硅沉積于轉動的沉積機構上，沉積機構轉動將沉積于其上的沉積產物甩出，接收機構接收從沉積機構上甩出的沉積產物。

16.根據權利要求15所述的生產氧化亞硅的方法，其特征在于，所述步驟(1)中抽真空至100～500Pa。