[發明專利]一種固態硬盤的高溫保護方法

在審

• 申請號: 201711420007.9
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108052292A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 楊燕;王海時;李翠;彭映杰;李英祥;王天寶;王濱
• 申請（專利權）人: 成都信息工程大學;四川海創天芯科技有限公司;四川悠服科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/30
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌

1.一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：溫度檢測電路檢測固態硬盤的盤片溫度；

步驟2：設置定時觸發溫度檢測電路；

步驟3：設置固態硬盤的起始溫度閥值；

步驟4：啟動定時觸發任務；

步驟5：定時獲取固態硬盤的實際溫度信息；

步驟6：將固態硬盤的實際溫度與設定的起始溫度閾值進行比較，獲取二者的差值；

步驟7：依據固態硬盤的實際溫度與設定的起始溫度閥值間的差值，調整固態硬盤的帶寬。

2.如權利要求1所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述設置定時觸發溫度檢測電路，包括配置固態硬盤的定時電路的中斷周期T1，啟動定時器，并以T1為單位周期性地向溫度檢測電路發送觸發信號。

3.如權利要求1所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，當固態硬盤的實際溫度達到設置的溫度起始閾值時，開始對固態硬盤進行數據傳輸帶寬限制。

4.如權利要求1所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述定時任務會周期性地發送觸發信號給溫度檢測電路，并獲取溫度檢測電路反饋的固態硬盤的實際溫度。

5.如權利要求1所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，通過調整NANDFlash的數據傳輸帶寬來提升或限制固態硬盤帶寬。

6.如權利要求6所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述調整NANDFlash的數據傳輸帶寬，包括對NAND Flash控制器中的命令并發通道數量和/或NAND Flash接口的數據吞吐率進行調整。

7.如權利要求6所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述調整NANDFlash控制器中的命令并發通道數量，包括：當固態硬盤的實際溫度大于設置的起始溫度閥值且比上一個周期的盤片溫度值要高，減少NAND Flash控制器中的命令并發通道數量；當固態硬盤的實際溫度大于起始溫度閥值且比上一個周期的盤片溫度值要低，增加NANDFlash控制器中的命令并發通道數量；當固態硬盤的實際溫度小于起始溫度閥值，恢復默認的NAND Flash控制器中的命令并發通道數量。

8.如權利要求6所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述調整NANDFlash接口的數據吞吐率，包括：當固態硬盤的實際溫度大于設置的起始溫度閥值且比上一個周期的盤片溫度值要高，降低NAND Flash接口的數據吞吐率；當固態硬盤的實際溫度大于起始溫度閥值且比上一個周期的盤片溫度值要低，提升NAND Flash接口的數據吞吐率；當固態硬盤的實際溫度小于起始溫度閥值，恢復默認的NAND Flash的數據吞吐率。

9.如權利要求8所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述調整NANDFlash接口的數據吞吐率，采用對NAND Flash存儲介質的讀取或編程命令的操作時間進行調整。

10.如權利要求9所述的一種固態硬盤的高溫保護方法，其特征在于，所述調整NANDFlash存儲介質的業務操作時間包括：

步驟1：周期性地獲取固態硬盤的盤片溫度，記為盤片第一溫度T1；

步驟2：根據盤片所處的工作環境溫度設定盤片的溫度起始閾值，記為盤片第二溫度T2；

步驟3：根據固態硬盤主控芯片的工藝溫度上限，設定溫度裕量，并計算固態硬盤盤片溫度的上限，記為盤片第三溫度T3；

步驟4：從NAND Flash存儲介質內部獲取讀取或編程命令的基本操作時間，分別記為NAND Flash的第一讀取時間Cr1和第一編程時間Cw1；

步驟5：當固態硬盤的盤片第一溫度T1升至盤片第三溫度T3時，設定NAND Flash存儲介質的讀取或編程命令最大操作時間，分別記為NAND Flash的第二讀取時間Crmax2和第二編程時間Cwmax2；

步驟6：根據Cr1和Crmax2，Cw1和Cwmax2得到NAND Flash存儲介質讀取或編程操作時，對應命令的操作時間差值，分別記為NAND Flash的第三讀取時間Cr3和第三編程時間Cw3；

步驟7：根據T2和T3得到固態硬盤的實際溫度范圍差值，記為盤片第一溫度差值T4；

步驟8：根據T4和Cr3、T4和Cw3，得到平均每一攝氏度的溫度變化所引起的NAND Flash存儲介質命令操作時間的變化值，分別記為NAND Flash的第四讀取周期Cr4和第四編程周期Cw4；

步驟9：若T1大于等于T2，開始調整固態硬盤帶寬，得到T1與T2的差值，并獲取本次對NAND Flash存儲介質的操作類型，結合Cr4和Cw4分別得到NAND Flash存儲介質的讀取或編程命令的實際操作時間；本次為讀取命令時，對NAND Flash存儲介質的讀取操作時間Cread滿足：

Cread＝(T1-T2)*Cr4+Cr1；

本次編程操作時，對NAND Flash存儲介質的實際編程時間Cwrite滿足：

Cwrite＝(T1-T2)*Cw4+Cw1；

若T1小于T2，停止調整固態硬盤帶寬，此時NAND Flash存儲介質的讀取或編程命令的操作時間采用基本操作時間，對NAND Flash存儲介質的讀取操作的實際操作時間Cread滿足：

Cread＝Cr1；

對NAND Flash存儲介質的編程操作的實際操作時間Cwrite滿足：

Cwrite＝Cw1。