[發(fā)明專利]高頻電路用銅箔及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711419307.5 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109788627B | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳振榕;邱秋燕 | 申請（專利權）人： | 財團法人工業(yè)技術研究院 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 曹立莉;秦劍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高頻 電路 銅箔 及其 制造 方法 | ||
1.一種高頻電路用銅箔，其特征在于包括：
電鍍銅層；
細微粗化銅層，位于該電鍍銅層的表面，由粒徑100nm～200nm的銅顆粒或銅合金顆粒所組成；
鋅鎳鍍層，位于該細微粗化銅層上，該鋅鎳鍍層包含有90μg/dm2～150μg/dm2的鋅及75μg/dm2～120μg/dm2的鎳；
防銹層，位于該鋅鎳鍍層上，該防銹層包含20μg/dm2～40μg/dm2的鉻；以及
疏水層，位于該防銹層上，該疏水層具有80度至150度的疏水角度，
所述高頻電路用銅箔的表面均方根粗糙度介于0.1μm～0.5μm。
2.如權利要求1所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該疏水層選自硅烷材料。
3.如權利要求1所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該鋅鎳鍍層的鎳與該疏水層的硅的重量比為1.8～4.5。
4.如權利要求1所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該鋅鎳鍍層的鋅與該疏水層的硅的重量比為2.2～5.5。
5.如權利要求1所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該銅合金由銅與選自Co、Ni、Fe及Mo的金屬所形成。
6.如權利要求2所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該硅烷材料包括乙烯基硅烷、環(huán)氧基硅烷或氨基硅烷。
7.如權利要求6所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該氨基硅烷包括：2-氨乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、2-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷或3-氨丙基三乙氧基硅烷。
8.如權利要求6所述的高頻電路用銅箔，其特征在于該乙烯基硅烷包括：乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷。
9.一種高頻電路用銅箔的制造方法，其特征在于包括：
在電鍍銅層的表面上形成細微粗化銅層，該細微粗化銅層由粒徑100nm～200nm的銅顆粒或銅合金顆粒所組成；
使用鋅鎳共電鍍配方進行電鍍3秒以上，以在該細微粗化銅層上形成鋅鎳鍍層，該鋅鎳鍍層包含有90μg/dm2～150μg/dm2的鋅及75μg/dm2～120μg/dm2的鎳；
在該鋅鎳鍍層上形成防銹層，該防銹層包含20μg/dm2～40μg/dm2的鉻；以及
在該防銹層上形成疏水層，該疏水層具有80度至150度的疏水角度。
10.如權利要求9所述的高頻電路用銅箔的制造方法，其特征在于該鋅鎳共電鍍配方包括鋅、鎳與焦磷酸鉀。
11.如權利要求9所述的高頻電路用銅箔的制造方法，其特征在于形成該鋅鎳鍍層的該電鍍的時間為3秒至5秒。
12.如權利要求9所述的高頻電路用銅箔的制造方法，其特征在于該疏水層選自硅烷材料。
13.如權利要求12所述的高頻電路用銅箔的制造方法，其特征在于該硅烷材料包括乙烯基硅烷、環(huán)氧基硅烷或氨基硅烷。
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