[發明專利]用于中子探測的敏感層及其形成方法

有效

• 申請號: 201711419057.5
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108239779B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 王永強;張清軍;李元景;趙自然;常建平;王燕春;孫立風;白楠;翟興亮
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司
• 主分類號: C25D13/00
• 分類號: C25D13/00;C25D15/00;G01T3/00
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 李華;崔香丹

1.一種用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，通過電泳涂裝方法形成所述敏感層，其中電泳涂裝液包括中子敏感物質、電泳漆和水，所述中子敏感物質為¹⁰B單質、¹⁰B化合物或含¹⁰B混合物；及

形成所述敏感層之后，加熱除去所述敏感層中的有機物成分。

2.根據權利要求1所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，在電泳涂裝之前包括研磨步驟，所述研磨步驟是將含硼粗粉末經高溫燒結壓制成磨球，然后采用所述磨球研磨所述敏感物質成0.1～5微米的顆粒。

3.根據權利要求1所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，在電泳涂裝之前包括研磨步驟，所述研磨步驟是采用標準鋼球磨球研磨所述敏感物質成0.1～5微米的顆粒，之后對研磨過的所述敏感物質進行去除鐵成分處理。

4.根據權利要求3所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，所述去除鐵成分處理包括酸洗除鐵和鐵磁式除鐵中的至少一種去除鐵成分處理。

5.根據權利要求1所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，所述¹⁰B化合物為¹⁰B₄C或¹⁰B₂O₃。

6.根據權利要求1所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，所述電泳漆是陽極型電泳漆或陰極型電泳漆。

7.根據權利要求6所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，所述陽極型電泳漆包括聚丁二烯陽極電泳漆、丙烯酸陽極電泳漆中的至少一種；所述陰極型電泳漆包括環氧陰極電泳漆、丙烯酸酯陰極電泳漆和聚胺酯陰極電泳漆中的至少一種。

8.根據權利要求7所述的用于中子探測的敏感層的形成方法，其特征在于，所述加熱步驟是在惰性氣體或還原性氣體保護氣氛下進行。

9.一種用于中子探測的敏感層，其特征在于，由權利要求1至8任一所述的形成方法形成。

10.根據權利要求9所述的用于中子探測的敏感層，其特征在于，所述敏感層的厚度為1～5微米。