[發明專利]一種基于旋流冷卻的核聚變第一壁內部冷卻通道

有效

• 申請號: 201711418896.5
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN109961855B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 鄭智穎;鄭鑫;李彪;王悅;蔡偉華;王璐
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: G21B1/11
• 分類號: G21B1/11;G21B1/25
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 鄧宇

1.一種基于旋流冷卻的核聚變第一壁內部冷卻通道，其特征在于，所述核聚變第一壁內部冷卻通道包括壁體（1）和隔板（2）；其中：所述壁體（1）的內部含有方形空腔；所述方形空腔貫穿壁體（1）的兩個表面；所述方形空腔的內部沿方形空腔的延伸方向設有一塊隔板（2）、且隔板（2）與壁體（1）的兩個互相平行的內壁垂直連接，隔板（2）將壁體（1）內部的方形空腔分成進氣通道（3）和冷卻通道（4）；所述進氣通道（3）的一端端口為進氣口（31），另一端端口封閉；所述冷卻通道（4）靠近進氣通道（3）進氣口的一端封閉，另一端為出氣口（41）；所述隔板（2）與壁體（1）內壁相連接的兩個端面上分別設有一排齒形凹槽（21），所述一排齒形凹槽（21）中每個凹槽的尺寸相同，且相鄰兩個凹槽之間的間距相同，所述齒形凹槽（21）沿隔板（2）中心線對稱布置。

2.根據權利要求1所述的一種基于旋流冷卻的核聚變第一壁內部冷卻通道，其特征在于，所述齒形凹槽（21）中每個凹槽的深度為1mm至2 mm。

3.根據權利要求1所述的一種基于旋流冷卻的核聚變第一壁內部冷卻通道，其特征在于，所述進氣通道（3）內部通入高壓氦氣。