[發(fā)明專利]具有邊緣障壁膜的電子裝置和其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711418651.2
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN108269945B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 普拉什特·曼德利克;瑞清·馬;茱莉亞·J·布朗
• 申請（專利權(quán)）人: 環(huán)球展覽公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李琳

1.一種用于制備電子裝置的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底具有安置在所述襯底之上的裝置，所述裝置具有裝置占據(jù)空間；

在所述裝置之上制造障壁層；和

實質(zhì)上沿所述裝置占據(jù)空間的側(cè)面制造障壁膜，其中所述制造包括使所述障壁膜斷裂以獲得所述障壁膜的占據(jù)空間，所述障壁膜包含聚合硅與無機硅的混合物、或者氧化物與聚合物硅酮的混合物，

其中所述障壁膜的所述占據(jù)空間比在所述裝置的一個或多個側(cè)面上的所述裝置占據(jù)空間寬0.5-3.0mm，

其中所述障壁膜是邊緣密封膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁層包含氧化物和聚合硅的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁層包含至少40％的無機硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁層是包含聚合物層和非聚合物層的多層障壁膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述障壁層中的聚合物材料與非聚合物材料的重量比在25:75到10:90的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述障壁層具有在36°到60°的范圍內(nèi)的潤濕接觸角。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁層是單層障壁膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁膜是單層障壁膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述障壁層是在沿所述裝置占據(jù)空間的所述側(cè)面制造所述障壁膜之前在所述裝置之上制造的。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中制造所述障壁膜的步驟包括在所述障壁層的至少一部分之上制造所述障壁膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中制造所述障壁層的步驟包括：

直接在所述裝置之上沉積環(huán)氧樹脂層；和

直接在所述環(huán)氧樹脂層之上沉積玻璃封裝層，使得所述玻璃封裝層耦接到所述環(huán)氧樹脂層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中制造所述障壁層的步驟包括：

直接在所述裝置之上沉積混合的聚合物/非聚合物材料障壁層；

直接在所述混合的聚合物/非聚合物材料障壁層之上沉積環(huán)氧樹脂層；和

直接在所述環(huán)氧樹脂層之上沉積玻璃封裝層，使得所述玻璃封裝層耦接到所述環(huán)氧樹脂層。