[發明專利]一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金及其制備方法

在審

• 申請號: 201711418559.6
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108149071A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 孟慶坤;霍宇飛;隋艷偉
• 申請（專利權）人: 中國礦業大學
• 主分類號: C22C16/00
• 分類號: C22C16/00;C22C1/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金，其特征在于該合金的重量百分比組成為：鈮10％，鉭10％～20％，余量為鋯和不可避免的雜質且鋯的重量百分比>50％。

2.根據權利要求1所述的一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金，其特征在于，所述鉭的重量百分比為15％。

3.一種人體植入物，其特征在于，制作該人體植入物的材料包括β型Zr-Nb-Ta系合金，所述β型Zr-Nb-Ta系合金重量百分比組成為：鈮10％，鉭10％～20％，余量為鋯和不可避免的雜質且鋯的重量百分比>50％。

4.一種人體植入物，其特征在于，制作該人體植入物的材料包括β型Zr-Nb-Ta系合金，所述β型Zr-Nb-Ta系合金重量百分比組成為：鈮10％，鉭15％，余量為鋯和不可避免的雜質且鋯的重量百分比>50％。

5.根據權利要求3或4所述的一種人體植入物，其特征在于，所述人體植入物為髖關節、膝關節、肩關節、脅關節、頭蓋骨、骨骼固定夾、腎瓣膜、心瓣膜或血管擴張器。

6.一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1：稱取原料，所述原料的重量百分比為：鈮10％，鉭10％～20％，余量為鋯和不可避免的雜質且鋯的重量百分比>50％；

S2：選用水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐并將稱重后的所述原料放置在所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐中且放置順序為：所述鋯放置在所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐的坩堝底部，所述鈮和鉭分別放置在所述鋯上面；

S3：通過對所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐進行抽真空使所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐的真空度為5×10^-3Pa；

S4：將氬氣通入所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐并開始熔煉，熔煉時的熔煉電流為200～230A，熔煉時間為100s～120s；

S5：通過底部通循環冷卻水的方式使所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐的坩堝冷卻；

S6：依次重復所述步驟S4和S5，重復次數為5～6次；

S7：通過底部通循環冷卻水的方式使所述水冷銅坩堝非自耗真空電弧熔煉爐的坩堝冷卻；

S8：停止通入氬氣，獲得成分均勻的β型Zr-Nb-Ta系合金。

7.根據權利要求6所述的一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金的制備方法，其特征在于，所述步驟S1：稱取原料，且所述原料的重量百分比為：鈮10％，鉭10％～20％，余量為鋯和不可避免的雜質且鋯的重量百分比>50％中，所述鉭的重量百分比為15％。

8.根據權利要求6或7所述的一種低磁化率β型Zr-Nb-Ta系合金的制備方法，其特征在于，所述原料分別為海綿鋯、鈮塊和鉭塊，且所述原料的純度均在99.0wt％以上。