[發明專利]一種單相功率模塊

在審

• 申請號: 201711418450.2
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108075619A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 田建業
• 申請（專利權）人: 北京天誠同創電氣有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H05K7/20
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧

本發明提供了一種單相功率模塊，包括：散熱器(1)和設置在所述散熱器(1)上的功率器件模塊(2)；所述功率器件模塊(2)沿長度延伸方向與所述散熱器(1)的通風方向不平行。由于功率器件模塊沿長度延伸方向與散熱器的通風方向不平行，在實際設計過程中減小了散熱器的長度，這樣，既減少風阻，又減少了熱積累，因此，提高了單相功率模塊的散熱性能。

技術領域

本發明涉及電力電子設備技術領域，尤其涉及一種單相功率模塊。

背景技術

動態擾動保護系統是一種復雜的電力電子設備，其技術涉及電力電子技術、控制技術、結構設計、電氣設計等，功率模塊是動態擾動保護系統的核心部件，功率模塊的性能影響設備的整體性能，功率模塊內部涉及到IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極性晶體管)、散熱器、電容、散熱風機等主要器件，這些器件的擺放位置，對功率模塊的性能至關重要，一款高性能的功率模塊可以降低整個設備的故障率，提高設備的可靠性。

IGBT是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體型場效應管)與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET輸入阻抗高、工作速度快、易驅動的優點，又具有雙極晶體管飽和電壓低、電流容量大、耐壓高等優點，能正常工作于幾十KHz(千赫茲)頻率范圍內，故IGBT在較高頻率的大、中功率設備(如變頻器、高頻焊機等)應用中占據了主導地位。

本發明的發明人在對現有技術進行研究時，發現存在以下問題：

現有技術中的功率模塊的散熱性較差，經常會出現由于功率模塊的散熱性較差而導致的功率模塊燒毀；或，現有技術中的功率模塊的雜散電感較大，會導致尖峰電壓過高而損毀功率模塊。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的旨在提供一種單相功率模塊，用以解決現有技術功率模塊的散熱性較差的問題。

為了實現上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種單相功率模塊，包括：散熱器和設置在所述散熱器上的功率器件模塊；

所述功率器件模塊沿長度延伸方向與所述散熱器的通風方向不平行。

優選地，所述功率器件模塊沿長度延伸方向與所述散熱器的通風方向垂直。

優選地，所述散熱器的通風方向為與水平地面垂直的方向。

優選地，單相功率模塊還包括若干電容，至少一個所述電容從正極指向負極的方向與所述功率器件模塊從正極指向負極的方向一致。

優選地，由若干所述電容組成的電容組位于所述功率器件模塊的左側或右側，且不位于所述散熱器的通風方向上。

優選地，所述電容組以所述功率器件模塊為對稱軸而對稱設置。

優選地，單相功率模塊還包括母排，用于連接所述電容和所述功率器件。

優選地，所述母排為復合母排。

優選地，單相功率模塊還包括位于所述散熱器上方的第一散熱風機；和/或，位于所述散熱器下方的第二散熱風機。

優選地，所述第一散熱風機和所述第二散熱風機以所述功率器件模塊為對稱軸而對稱設置。

相比于現有技術，本發明的方案具有以下有益效果：

本發明實施例提供的單相功率模塊，包括：散熱器和設置在散熱器上的功率器件模塊；功率器件模塊沿長度延伸方向與、散熱器的通風方向不平行。由于功率器件模塊的形狀為長方形，而本發明實施例中功率器件模塊沿長度延伸方向與散熱器的通風方向不平行，在實際設計過程中減小了散熱器的長度，這樣，既減少風阻，又減少了熱積累，因此，提高了單相功率模塊的散熱性能。