[發明專利]一種制備高性能燒結釹鐵硼磁體的方法

在審

• 申請號: 201711417664.8
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108305773A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 高學緒;呂向科;湯明輝;丁勇;包小倩;王春國;李紀恒;盧克超;張雪嬌
• 申請（專利權）人: 寧波韻升股份有限公司;北京科技大學;寧波韻升磁體元件技術有限公司;包頭韻升強磁材料有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;C23C10/22;C23C10/26;C23C2/04
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 方小惠

1.一種制備高性能燒結釹鐵硼磁體的方法，首先將擴散源附著在燒結釹鐵硼磁體表面形成涂層，然后對附著有涂層的燒結釹鐵硼磁體進行擴散熱處理，其特征在于將擴散源附著在燒結釹鐵硼磁體表面形成涂層的具體過程為：

(1)將熔點溫度為400-900℃、且含有至少一種稀土元素的合金加熱至熔融，得到熔融狀態的擴散源，其中所述的合金的加熱溫度高于所述的合金的熔點溫度且低于1000℃；

(2)保持所述的擴散源的溫度不變，將預熱至溫度為800℃-1000℃的燒結釹鐵硼磁體浸入所述的擴散源中，浸泡時間不超過30s；

(3)將浸泡后的燒結釹鐵硼磁體拉出所述的擴散源的液面后，采用風刀將溫度為800℃-1000℃的惰性氣體噴射到燒結釹鐵硼磁體表面，燒結釹鐵硼磁體表面形成涂層，所述的涂層厚度不超過50μm；

所述的擴散熱處理的具體過程為：先在800℃-1000℃條件下對附著有涂層的燒結釹鐵硼磁體進行晶界擴散處理，然后在450℃-550℃條件下對晶界擴散處理后的燒結釹鐵硼磁體進行低溫回火處理。

2.根據權利要求1所述的一種制備高性能燒結釹鐵硼磁體的方法，其特征在于所述的擴散處理的時間為2-10h，所述的低溫回火處理的時間2-8h。

3.根據權利要求1所述的一種制備高性能燒結釹鐵硼磁體的方法，其特征在于所述的合金的熔點溫度為450-750℃。

4.根據權利要求1所述的一種制備高性能燒結釹鐵硼磁體的方法，其特征在于所述的合金的加熱溫度、所述的擴散源的溫度、所述的惰性氣體的溫度和所述的晶界擴散處理的溫度中，任意兩者之間的溫差不超過100℃。