[發明專利]一種基于球閥的遮蓋式表面梯度薄膜制備裝置

在審

• 申請號: 201711416423.1
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108103453A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 樸鐘宇;鄭秋陽;余光磊;周仁澤;周振宇
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 王利強;李百玲

1.一種基于球閥的遮蓋式表面梯度薄膜制備裝置，其特征在于：包括真空腔室以及設置在真空腔室內的基質和蒸發源結構，所述蒸發源結構位于所述基質的上方且通過固定機構懸置在真空腔室內；

所述蒸發源結構包括坩堝蒸發裝置、源材、球閥通量控制機構、元素擴散矯正通道和正電位電極，所述源材設置在所述坩堝蒸發裝置內，所述坩堝蒸發裝置的開口朝向基質的中心方向布置，所述球閥通量控制機構包括步進電機、球閥外殼、設置在球閥外殼內的中空擋環和用于中空擋環轉動的擋環轉軸，所述球閥外殼的上下兩端分別與坩堝蒸發裝置的開口、元素擴散矯正通道的上端固定連接，所述元素擴散矯正通道朝向基質的中心方向布置，所述球閥外殼分別與坩堝蒸發裝置、元素擴散矯正通道連通，所述擋環轉軸可轉動的安裝在球閥外殼上且穿過球閥外殼的中心，所述擋環轉軸與坩堝蒸發裝置的中軸線垂直，所述中空擋環為碗型且其開口端固定在所述擋環轉軸上，所述步進電機通過齒輪減速機構與所述擋環轉軸連接；

所述坩堝蒸發裝置、球閥外殼、中空擋環與元素擴散矯正通道均同軸設置；所述坩堝蒸發裝置與所述正電位電極連接，所述基質與負電位電極連接，所述基質的底部上設有用于基質上的鍍膜進行退火晶化的加熱裝置。

2.如權利要求1所述的一種基于球閥的遮蓋式表面梯度薄膜制備裝

置，其特征在于：所述蒸發源結構設置有兩套，兩套蒸發源結構左右對稱布置。

3.如權利要求1所述的一種基于球閥的遮蓋式表面梯度薄膜制備裝置，其特征在于：所述蒸發源結構設置有四套，兩套一組，前后各一組，每組的兩套蒸發源結構左右對稱布置。