[發明專利]一種高抗熱震性匣缽及其制備方法在審
| 申請號: | 201711416033.4 | 申請日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN108046816A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 王立平;王理達 | 申請(專利權)人: | 江蘇三恒高技術窯具有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/66 | 分類號: | C04B35/66;C04B35/567;C04B35/185;C04B35/622;F27D5/00 |
| 代理公司: | 宜興市天宇知識產權事務所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 蔣何棟 |
| 地址: | 214221 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抗熱 匣缽 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種高抗熱震性匣缽,包括缽體,缽體由缽底與缽側連成一體,缽底呈夾心結構,缽底內層為碳化硅、高嶺土混合層,包覆缽底內層的缽底外層與缽側為連體結構,缽底外層和缽側是電熔莫來石、電熔剛玉、α?氧化鋁、高嶺土混合層。同時,本發明還公開了上述匣缽的制備方法。本發明與傳統技術相比,在充分掌握匣缽使用環境要求及產生損壞的主要原因基礎上,通過對兩種不同材質線膨脹系數之間的匹配問題進行研究,改進優化配方及制造工藝,提高了匣缽的抗熱震性能。
技術領域
本發明屬于耐火窯具制備領域,具體涉及一種高抗熱震性匣缽及其制備方法。
背景技術
電子元件及材料是電子信息工業的基礎之一,電子材料制程需經過高溫燒制,匣缽是高溫過程承載產品的主要窯具,燒成對窯具的抗熱震性技術要求很高,并且窯具材質在高溫下不能對電子元件及材料性能產生影響。
目前生產上有類似的匣缽,匣底有基層碳化硅,碳化硅基層上有隔離層氧化鋁,同時匣墻也是由氧化鋁組成。由于未解決好氧化鋁與碳化硅的線膨脹系數的匹配,容易使匣缽在使用過程中出現匣墻剝落和開裂現象,造成匣缽報廢。
另中國專利CN200820208004.9公開的一種一體式復合層匣缽實用新型專利,目的是解決匣缽在使用過程中發生的匣墻“崩角”和破斷問題。它所述匣底的基層與所述匣墻的基層連為一體,匣底的內隔離層與所述匣墻的內隔離層連為一體,所述基層采用碳化硅(SiC)材料,外隔離層采用含鋁量為78~99%的材料。該結構中,碳化硅未實現全隔離,使用時碳化硅極易氧化,可能對電子元件及材料性能產生不良影響;另匣缽在制備過程中,匣缽的成型受到原料特性制約,實現該結構的制造工藝,困難重重,不具備經濟價值。
發明內容
發明目的:本發明的目的在于針對現有技術的不足,提供一種高抗熱震性匣缽。
本發明的另一目的在于提供上述匣缽的制備方法。
技術方案:為了達到上述發明目的,本發明具體是這樣來實現的:一種高抗熱震性匣缽,包括缽體,缽體由缽底與缽側連成一體,其特征在于,缽底呈夾心結構,缽底內層為碳化硅、高嶺土混合層,包覆缽底內層的缽底外層與缽側為連體結構,缽底外層和缽側是電熔莫來石、電熔剛玉、α-氧化鋁、高嶺土混合層。
一種優選的方案,缽底內層各組份的質量百分比為:碳化硅16~36目 25~50%、碳化硅60~100目 10~40%、碳化硅325目 10~30%,高嶺土≤200目5~10%;缽底外層和缽側各組份的質量百分比為:電熔莫來石16~36目 30~50%、電熔剛玉100~200目 10~30%、α-氧化鋁≤325目 5~20%、高嶺土≤200目5~20%。
制備上述高抗熱震性匣缽的方法,先將缽底內層的各組份按配比要求進行均質混料,困料備用;另將缽底外層和缽側的各組份按配比要求進行均質混料,困料備用;在備好的模具內進行均質布料,在大噸位壓機上加壓成型,干燥后再經高溫燒成制得。。
本發明關鍵在于解決兩種不同材質線膨脹系數之間的匹配問題,并對匣缽內部結構進一步細化改進,解決現有技術中的匣缽在使用過程中發生的匣墻剝落和開裂現象,而造成匣缽剝落和開裂現象的主要原因是匣缽經不起冷熱急變的冷熱循環沖擊而造成損壞,說明的匣缽抗熱震性能不好。
有益效果:本發明與傳統技術相比,在充分掌握匣缽使用環境要求及產生損壞的主要原因基礎上,通過對兩種不同材質線膨脹系數之間的匹配問題進行研究,改進優化配方及制造工藝,提高了匣缽的抗熱震性能。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖。
具體實施方式
實施例1:
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