[發明專利]信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201711415407.0 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108179391A | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;楊勇;姚婷婷;金克武;李剛;沈洪雪;楊揚;王天齊;甘治平;馬立云 | 申請（專利權）人： | 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/14;H01B5/14 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 合金層 多層透明導電薄膜 磁控濺射工藝 頂面 膜系 沉積 制備 等離子體輻照 導電性 等離子輻照 復合介質層 光學透過率 柔韌性 襯底頂面 公開信息 信息顯示 蒸發沉積 導電層 復合膜 抗彎折 梯度化 透過率 折射率 襯底 吹干 力學 匹配 清洗 | ||
1.信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、清洗柔性襯底并吹干；
S2、采用磁控濺射工藝，在柔性襯底頂面沉積下SiO2層；
S3、采用磁控濺射工藝，在下SiO2層頂面沉積下Si3N4層；
S4、采用磁控濺射工藝，在下Si3N4層頂面沉積下TiO2層；
S5、將步驟S4得到的薄膜放入電子束設備中，在下TiO2層頂面蒸發沉積AgPt合金層；
S6、將步驟S5得到的薄膜放在真空腔內，對AgPt合金層進行Ar等離子輻照，Ar流量為30～60sccm，真空腔壓力5～10Pa，輻照功率20～40W，輻照時間10～30s；
S7、采用磁控濺射工藝，在AgPt合金層頂面沉積上TiO2層；
S8、采用磁控濺射工藝，在上TiO2層頂面沉積上Si3N4層；
S9、采用磁控濺射工藝，在上Si3N4層頂面沉積上SiO2層，最終得到所述柔性多層透明導電薄膜。
2.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1依次采用丙酮、無水乙醇、去離子水清洗柔性襯底，清洗后用N2吹干。
3.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2與S9磁控濺射時，向真空腔通入Ar和O2，Ar流量為30～60sccm，O2流量為6～8sccm，真空腔壓力4×10-1～6×10-1Pa，直流電源功率為30～50W，濺射時間40～60s。
4.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3與S8磁控濺射時，向真空腔通入Ar和N2，Ar流量為30～60sccm，N2流量為8～12sccm，真空腔壓力4×10-1～6×10-1Pa，直流電源功率為30～50W，濺射時間50～70s。
5.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4與S7磁控濺射時，向真空腔通入Ar和O2，Ar流量為30～60sccm，O2流量為4～6sccm，真空腔壓力4×10-1～6×10-1Pa，直流電源功率為30～50W，濺射時間40～60s。
6.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中蒸發沉積Ag與蒸發沉積Pt時的電流比為8～10:1。
7.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述下SiO2層與上SiO2層的厚度均為50～70nm。
8.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述下Si3N4層與上Si3N4層的厚度均為20～40nm。
9.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述下TiO2層與上TiO2層的厚度均為15～30nm。
10.根據權利要求1所述的信息顯示用柔性多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述AgPt合金層的厚度為8～20nm。
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