[發(fā)明專利]一種離子注入式氮摻雜氮化碳薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711415268.1 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108103438A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沈洪雪;姚婷婷;楊勇;李剛 | 申請（專利權）人： | 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設計研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化碳薄膜 薄膜 氮摻雜 摻入 襯底 離子 離子注入機 離子化 注入式 碳靶 制備 清洗 氮氣 單晶硅 襯底表面 磁控濺射 工藝過程 濺射氣體 制備過程 氬氣 摻雜量 晶體化 離子源 污垢 鍍膜 放入 起輝 去除 | ||
【權利要求書】：
1.一種離子注入式氮摻雜氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、取單晶硅作為襯底，清洗襯底，去除襯底表面污垢；
S2、將清洗后的襯底放入離子注入機的磁控濺射腔，采用碳靶，氮氣作為離子源，氬氣作為濺射氣體，通過離子注入機制備得到所述氮摻雜氮化碳薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種離子注入式氮摻雜氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1依次用丙酮、酒精、去離子水分別對襯底進行超聲波清洗，去除襯底表面的污垢，然后用電風吹吹干。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種離子注入式氮摻雜氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2在離子注入機濺鍍之前先進行預濺鍍，除去碳靶表面的雜質與污物。
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- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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