[發明專利]一種阻燃相變散熱結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201711413582.6 | 申請日: | 2017-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN108302973A | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 邱振東 | 申請(專利權)人: | 湛江正信科技服務有限公司 |
| 主分類號: | F28F21/08 | 分類號: | F28F21/08;C09D183/04;C09D183/07;C09D183/05;C09D7/61 |
| 代理公司: | 廣州廣信知識產權代理有限公司 44261 | 代理人: | 張文雄 |
| 地址: | 524022 廣東省湛江市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻燃 相變散熱結構 相變材料層 鋁箔 涂覆 導熱性 導熱硅膠層 石蠟 聚異丁烯 氫氧化鋁 氫氧化鎂 相變儲能 原料制備 分散劑 可壓縮 偶聯劑 重量份 阻燃性 柔韌 制作 | ||
本發明公開了一種阻燃相變散熱結構及其制作方法,包括鋁箔,所述鋁箔的頂面上涂覆有阻燃導熱硅膠層,其底面上涂覆有相變材料層。所述相變材料層由按重量份計的以下原料制備而成:聚異丁烯15?20份、石蠟10?15份、氫氧化鋁20?40份、氫氧化鎂20?40份、偶聯劑0.5?1份、分散劑0.5?1份。本發明阻燃相變散熱結構具有導熱性好、阻燃性好、柔韌可壓縮的特點,同時還具有相變儲能特性。
技術領域
本發明涉及一種散熱結構,具體涉及一種阻燃相變散熱結構及其制作方法。
背景技術
散熱片是一種給電器中的易發熱電子元件散熱的裝置,多由鋁合金,黃銅或青銅做成板狀,片狀,多片狀等,如電腦中CPU中央處理器要使用相當大的散熱片,電視機中電源管,行管,功放器中的功放管都要使用散熱片。一般散熱片在使用中要在電子元件與散熱片接觸面涂上一層導熱硅脂,使元器件發出的熱量更有效地傳導到散熱片上,再經散熱片散發到周圍空氣中去。
現有技術中大都采用金屬散熱片,金屬散熱片雖然本身導熱系數高,但是界面性質很差,與熱源接觸時有很大的接觸熱阻,不能很好的將熱量從熱源傳遞到金屬,從而影響散熱。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的第一個目的是在于提供一種阻燃相變散熱結構及其制作方法,該阻燃相變散熱結構具有導熱性好、阻燃性好、柔韌可壓縮的特點,同時還具有相變儲能特性。
本發明的第二個目的是為了提供供一種阻燃相變散熱結構及其制作方法的制作方法。
實現本發明的第一個目的可以通過采取如下技術方案達到:
一種阻燃相變散熱結構,包括鋁箔,其特征在于,所述鋁箔的頂面上涂覆有阻燃導熱硅膠層,其底面上涂覆有相變材料層;
相變材料層由按重量份計的以下原料制備而成:聚異丁烯15-20份、石蠟10-15份、氫氧化鋁20-40份、氫氧化鎂20-40份、偶聯劑0.5-1份、分散劑0.5-1份。
作為優選,所述阻燃導熱硅膠層由重量份計的以下原料制備而成:甲基乙烯基硅橡膠2-8份、乙烯基硅膠15-20份、二甲基硅油18-25份、含氫硅油0.5-2份、鉑金催化劑0.5-1份、氫氧化鋁20-40份、氫氧化鎂20-40份、納米二氧化硅10-20份、中空玻璃微珠10-20份。
作為優選,所述氫氧化鋁與氫氧化鎂的重量比為1.2-2:1。
作為優選,所述氫氧化鋁與氫氧化鎂的重量比為1.5:1。
作為優選,所述納米二氧化硅的粒徑為1.5-10nm。
作為優選,所述中空玻璃微珠的粒徑為30-50μm。
優選的,所述相變材料層的導熱系數為1.5-2.0w/mk,相變溫度為50-60℃。
作為優選,所述鋁箔的厚度為0.02-0.04mm,所述阻燃導熱硅膠的厚度為0.03-0.8mm,所述相變材料層的厚度為0.03-0.8mm。
實現本發明的第二個目的可以通過采取如下技術方案達到:
一種阻燃相變散熱結構的制作方法,其特征在于,包括:
備料步驟:分別稱取鋁箔、阻燃導熱硅膠基料、相變材料基料;
硫化步驟:將備料步驟中的阻燃導熱硅膠基料均勻涂覆于鋁箔的頂面上,放置于隧道爐中進行硫化,硫化完成后,形成阻燃導熱硅膠層;
熱涂覆步驟:將備料步驟中的相變材料基料均勻熱涂覆于完成硫化步驟后的鋁箔的底面上,控制溫度為65-75℃,形成相變材料層,即得到阻燃相變散熱結構。
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